[發明專利]固態圖像拾取設備的制造方法

有效

• 申請號: 201010570146.1
• 申請日: 2010-12-02
• 公開（公告）號: CN102088026A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: 巖田旬史;市川武史
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種固態圖像拾取設備的制造方法，包括：

根據離子注入方法從半導體基板的第一表面側在半導體基板中形成第一導電類型的第一半導體區的步驟；

在第一半導體區和所述半導體基板的第一表面之間形成多個光電轉換區的步驟；

從所述半導體基板的第二表面側對半導體基板進行拋光的第一移除步驟；以及

在第一移除步驟之后，以比第一移除步驟的速度低的速度從所述半導體基板的第二表面側減小所述半導體基板的厚度的第二移除步驟，

其中，至少在第一半導體區露出之前，繼續第二移除步驟。

2.根據權利要求1所述的制造方法，還包括：

至少在形成多個光電轉換區的步驟之前，在第一半導體區和半導體基板中的第二表面之間形成第二半導體區的步驟，第二半導體區的雜質濃度低于第一半導體區的雜質濃度，或者第二半導體區的導電類型不同于第一導電類型。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

執行第二移除步驟以露出作為被布置在半導體基板的與第一表面側相反的一側的反轉表面層的第一半導體區，所述多個光電轉換區中的每一個布置在第一表面側。

4.根據權利要求1所述的制造方法，還包括：

在第二移除步驟之后，對第一半導體區露出的區域進行氫燒結處理的步驟。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

在劑量為2×10¹¹cm^-2～1×10¹⁴cm^-2且加速能量為2.0MeV～3.4MeV的條件下按照離子注入方法進行形成第一半導體區的步驟。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

進行第二移除步驟，以使得露出的第一半導體區包含10¹⁷cm^-3～10²⁰cm^-3的雜質濃度。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

根據機械拋光或化學機械拋光處理進行第一移除步驟。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

根據渦電流化學機械拋光處理進行第二移除步驟。

9.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

根據干式或濕式蝕刻處理進行第二移除步驟。

10.根據權利要求1所述的制造方法，其中，

根據等離子體輔助化學蝕刻處理進行第二移除步驟。