[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010570001.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN102136447A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舟山幸太;茶木原啟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;鄭菊

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

包括說(shuō)明書、說(shuō)明書附圖和說(shuō)明書摘要、于2009年12月1日提交的第2009-273241號(hào)日本專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過(guò)整體引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種在應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路器件(或者半導(dǎo)體器件)制造方法中的光刻技術(shù)時(shí)有效的技術(shù)。

背景技術(shù)

在日本待審專利公開號(hào)Hei?5(1993)-326358(專利文獻(xiàn)1)中公開了如下技術(shù)，在該技術(shù)中使用具有相互正交的相應(yīng)帶狀光屏蔽部分的兩個(gè)掩模將一個(gè)負(fù)性抗蝕劑膜曝光兩次以便防止接觸孔的拐角部分的形狀圓化。

在日本待審專利公開號(hào)Hei?9(1997)-289153(專利文獻(xiàn)2)中公開了如下技術(shù)，在該技術(shù)中在使用多晶硅化物柵極電極和與之鄰近的按照多晶硅化物圖案的正性抗蝕劑的光刻加工中，使用具有不同屏蔽圖案的兩個(gè)掩模將一個(gè)負(fù)性抗蝕劑膜曝光兩次以便防止圖案的拐角部分的形狀圓化。

在日本待審專利公開號(hào)Hei?11(1999)-121701(專利文獻(xiàn)3)中公開了如下技術(shù)，在該技術(shù)中與NOR型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件的淺溝槽隔離(STI)區(qū)域的光刻關(guān)聯(lián)，為了避免矩形圖案的端部由于鄰近效應(yīng)而圓化，使用硬掩模圖案和由與之正交的抗蝕劑膜形成的線和間隔圖案作為抗蝕掩模來(lái)對(duì)硅襯底進(jìn)行干法蝕刻并且由此形成有溝槽。

在日本待審專利公開號(hào)2006-49737(專利文獻(xiàn)4)或者與之對(duì)應(yīng)的美國(guó)專利公開號(hào)2009-122609(專利文獻(xiàn)5)中公開了如下技術(shù)，在該技術(shù)中在具有分裂柵極閃存單元(具有金屬氧化物氮化物氧化物半導(dǎo)體(MONOS)結(jié)構(gòu)或者硅氧化物氮化物氧化物硅(SONOS)結(jié)構(gòu))的閃存中防止經(jīng)由源極區(qū)域向與選擇寫入的存儲(chǔ)器單元相鄰的未選存儲(chǔ)器單元施加寫擾動(dòng)。

在日本待審專利公開號(hào)2009-54707(專利文獻(xiàn)6)或者與之對(duì)應(yīng)的美國(guó)專利公開號(hào)2009-050956(專利文獻(xiàn)7)中公開了如下技術(shù)，在該技術(shù)中在具有分裂柵極閃存單元(使用MONOS結(jié)構(gòu)或者SONOS結(jié)構(gòu))的閃存中提高在根據(jù)源極側(cè)注入(SSI)方法的寫入期間的抗擾性。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]

日本待審專利公開號(hào)Hei?5(1993)-326358

[專利文獻(xiàn)2]

日本待審專利公開號(hào)Hei?9(1997)-289153

[專利文獻(xiàn)3]

日本待審專利公開號(hào)Hei?11(1999)-121701

[專利文獻(xiàn)4]

日本待審專利公開號(hào)2006-49737

[專利文獻(xiàn)5]

美國(guó)專利公開號(hào)2009-122609

[專利文獻(xiàn)6]

日本待審專利公開號(hào)2009-54707

[專利文獻(xiàn)7]

美國(guó)專利公開號(hào)2009-050956

發(fā)明內(nèi)容

在結(jié)構(gòu)為具有共同柵極的多個(gè)晶體管單元以陣列布置的半導(dǎo)體集成電路器件中，在構(gòu)圖淺溝槽隔離(STI)區(qū)域的步驟中，具有橫向伸長(zhǎng)的矩形形狀的STI圖案需要在縱向方向上形成為重復(fù)圖案。當(dāng)矩形形狀的最小尺度與曝光波長(zhǎng)(曝光光束或者電磁波的波長(zhǎng))為相同級(jí)別或者更短時(shí)，鄰近效應(yīng)在矩形形狀的端部變得明顯從而增加圖案的變形。擔(dān)心這樣的圖案變形可能影響器件參數(shù)，比如縱向地穿越端部附近的存儲(chǔ)器柵極的柵極寬度。

已經(jīng)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明以便解決這些問題。

本發(fā)明的目的在于提供一種可靠性高的半導(dǎo)體集成電路器件的制造工藝。

根據(jù)本說(shuō)明書和附圖中的陳述將清楚本發(fā)明的上述和其它目的以及新穎特征。

下文是在本申請(qǐng)中公開的本發(fā)明的一個(gè)有代表性的方面的概況簡(jiǎn)述。

也就是說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等的存儲(chǔ)器單元陣列等的曝光中，當(dāng)通過(guò)曝光向負(fù)性抗蝕劑膜上轉(zhuǎn)移用于蝕刻STI溝槽區(qū)域的成組單位開口(其中用于蝕刻各自具有矩形形狀的STI溝槽區(qū)域的單位開口布置成行和列)時(shí)適當(dāng)?shù)厥褂枚嗥毓猓摱嗥毓獍ǖ谝黄毓獠襟E(該步驟使用第一光學(xué)掩模，該第一光學(xué)掩模具有在列方向上延伸的成組第一線狀開口)和第二曝光步驟(該步驟使用第二光學(xué)掩模，該第二光學(xué)掩模具有在行方向上延伸的成組第二線狀開口)(其中可以先進(jìn)行第一曝光步驟或者第二曝光步驟)。

下文是在本申請(qǐng)中公開的本發(fā)明的有代表性的方面可實(shí)現(xiàn)的效果的簡(jiǎn)述。