[發明專利]防護裝置部件的應力緩沖

無效

• 申請號: 201010569687.2
• 申請日: 2010-10-08
• 公開（公告）號: CN102097396A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 劉頌初;林美妮;司徒賽玉;梁偉南
• 申請（專利權）人: 宇芯先進技術有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L23/28;C08L79/08;C08L45/00;C08L79/04
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.旨在設置于鄰接半導體襯底的面的應力緩沖結構，包括：

具有至少第一側的第一聚合物層，該第一側與形成在所述半導體襯底上的至少一部分的鈍化層接觸，所述半導體襯底在所述相同面上具有一個或多個連接墊；

具有第一側的第二聚合物層，該第一側與所述第一聚合物層的相對的第二側接觸；以及

金屬板，其與所述第二聚合物層的相對的第二側接觸；

其中所述金屬板具有一個或多個金屬層，并與所述半導體襯底的所述連接墊在物理上和電學上隔離。

2.如權利要求1所述的應力緩沖結構，其中所述金屬板包括設置在所述第二聚合物層的所述第二側上方的第一金屬層。

3.如權利要求2所述的應力緩沖結構，其中所述金屬板包括設置在所述第一金屬層上方的第二金屬層。

4.如權利要求3所述的應力緩沖結構，其中所述金屬板進一步包括設置在所述第二金屬層上方的第三金屬層。

5.如權利要求2所述的應力緩沖結構，其中所述第一金屬層選自鈦、鎢、釩和它們的合金或混合物。

6.如權利要求3所述的應力緩沖結構，其中所述第二金屬層選自銅、鋁、鎳和它們的合金或混合物。

7.如權利要求4所述的應力緩沖結構，其中所述第三金屬層選自鈦、鎢、釩和它們的合金或混合物。

8.如權利要求5所述的應力緩沖結構，其中所述第一金屬層具有從約0.02至約20微米的厚度。

9.如權利要求6所述的應力緩沖結構，其中所述第二金屬層具有從約0.2至約20微米的厚度。

10.如權利要求7所述的應力緩沖結構，其中所述第三屬層具有從約0.02至約2微米的厚度。

11.如權利要求2所述的應力緩沖結構，進一步包括包覆并接觸所述金屬板的第三聚合物層。

12.如權利要求1所述的應力緩沖結構，其中所述第一聚合物層選自聚酰亞胺、苯并環丁烯、基于苯并環丁烯的聚合物和聚苯并唑。

13.如權利要求1所述的應力緩沖結構，其中所述第二聚合物層選自聚酰亞胺、苯并環丁烯、基于苯并環丁烯的聚合物和聚苯并唑。

14.如權利要求11所述的應力緩沖結構，其中所述第三聚合物層選自聚酰亞胺、苯并環丁烯、基于苯并環丁烯的聚合物和聚苯并唑。

15.如權利要求12所述的應力緩沖結構，其中所述第一聚合物層具有從約1至約50微米的厚度。

16.如權利要求13所述的應力緩沖結構，其中所述第二聚合物層具有從約1至50微米的厚度。

17.如權利要求14所述的應力緩沖結構，其中所述第三聚合物層具有從約1至50微米的厚度。

18.如權利要求2所述的應力緩沖結構，其中所述半導體襯底具有至少一個對應力敏感的部件，并且其中所述第一聚合物層覆蓋至少一個所述部件。

19.如權利要求2所述的應力緩沖結構，其中所述第二聚合物層包覆所述第一聚合物層并延伸至一部分的所述鈍化層上。

20.如權利要求2所述的應力緩沖結構，其中所述金屬板包覆所述第二聚合物層并延伸至一部分的所述第一聚合物層上。

21.如權利要求11所述的應力緩沖結構，其中所述第三聚合物層包覆所述金屬板并延伸到至少一部分的所述第一聚合物層及所述鈍化層上。

22.如權利要求11所述的應力緩沖結構，其中所述第三聚合物層包覆所述金屬板并延伸到至少一部分的所述第二聚合物層上。

23.如權利要求22所述的應力緩沖結構，其中所述第三聚合物層進一步延伸到至少一部分的所述鈍化層上。

24.如權利要求11所述的應力緩沖結構，其中所述第三聚合物層包覆所述金屬板并延伸到至少一部分的所述第一、第二聚合物層及所述鈍化層上。