[發(fā)明專利]晶體管的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010568378.3
• 申請(qǐng)日: 2010-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN102479722A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史運(yùn)澤;徐友鋒;劉煥新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L21/316
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層，所述犧牲層利用沉積工藝形成；

在所述犧牲層上形成偽柵極；

在所述偽柵極和犧牲層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；

形成與所述偽柵極齊平的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋所述源區(qū)和漏區(qū)；

去除所述偽柵極和犧牲層，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成露出所述半導(dǎo)體襯底的溝槽；

在所述溝槽底部形成柵介質(zhì)層；

在所述溝槽側(cè)壁和底部形成高K介質(zhì)層；

在所述高K介質(zhì)層上形成金屬柵極，所述金屬柵極填充滿所述溝槽且與所述層間介質(zhì)層齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述犧牲層與所述層間介質(zhì)層的刻蝕選擇比為1/2～2/1。

3.如權(quán)利要求2所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的材質(zhì)為氧化硅，所述沉積工藝為原子層沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝、亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度范圍為5～50埃。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述犧牲層的去除方法為濕法刻蝕的方法。

6.如權(quán)利要求5所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的溶液采用氫氟酸與水的混合溶液進(jìn)行，所述氫氟酸與水的質(zhì)量比例為1/300～1/600，所述濕法刻蝕的工藝時(shí)間為30秒～5分鐘。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層利用化學(xué)氧化工藝制作，所述化學(xué)氧化工藝的溫度小于300攝氏度。

8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)氧化工藝?yán)贸粞跖c水的混合溶液進(jìn)行，其中臭氧的質(zhì)量濃度范圍為1～50ppm，所述化學(xué)氧化工藝為將所述半導(dǎo)體襯底浸泡于所述混合溶液中1～500秒，所述化學(xué)氧化工藝的溫度小于100攝氏度。

9.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)氧化工藝?yán)昧蛩岷碗p氧水的混合溶液進(jìn)行，其中所述硫酸與雙氧水的質(zhì)量比例范圍為3/1～7/1，所述化學(xué)氧化工藝為將所述半導(dǎo)體襯底浸泡于所述混合溶液中1～500秒，所述混合溶液的溫度不超過300攝氏度。

10.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)氧化工藝?yán)冒彼㈦p氧水和水的混合溶液進(jìn)行，其中所述水與氨水的質(zhì)量比例為40/1～60/1，所述水與雙氧水的質(zhì)量比例為20/1～40/1，所述化學(xué)氧化工藝為將所述半導(dǎo)體襯底浸泡于所述混合溶液中1～500秒，所述混合溶液的溫度小于100攝氏度。