[發明專利]雙重圖形化方法

有效

• 申請號: 201010568205.1
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN102478764A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 李凡;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F1/00;H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種雙重圖形化方法，其特征在于，包括：

分別提供基底和壓印模具，所述基底上形成有硬掩膜層，所述壓印模具具有第一圖形，所述硬掩膜的材料為金屬或金屬化合物；

使用所述壓印模具對所述硬掩膜層進行壓印，將所述第一圖形轉移至所述硬掩膜層；

形成光刻膠層，覆蓋所述壓印后的硬掩膜層；

對所述光刻膠層進行圖形化，定義出第二圖形；

以所述圖形化后的光刻膠層為掩膜對所述硬掩膜層進行刻蝕，將所述第二圖形轉移至所述硬掩膜層。

2.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述使用所述壓印模具對所述硬掩膜層進行壓印包括：對所述硬掩膜層進行軟化；使用所述壓印模具對所述硬掩膜層進行沖壓；對所述硬掩膜層進行凍結；移除所述壓印模具。

3.根據權利要求2所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述軟化包括對所述硬掩膜層進行加熱。

4.根據權利要求3所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述加熱過程中的壓強為10^-3mbar至10^-11mbar。

5.根據權利要求2所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述凍結包括對所述硬掩膜層進行冷卻。

6.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述對所述光刻膠層進行圖形化包括：對所述光刻膠層進行曝光，定義出所述第二圖形；對所述曝光后的光刻膠層進行顯影。

7.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為鈦、氮化鈦或鉻。

8.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層的厚度為至

9.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述基底上還依次形成有介質層和帽層，所述硬掩膜層位于所述帽層的表面上。

10.根據權利要求9所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述帽層的材料為正硅酸乙酯、氧化硅或其組合物。

11.根據權利要求9所述的雙重圖形化方法，其特征在于，還包括：去除所述光刻膠層；以所述硬掩膜層為掩膜對所述帽層和介質層進行刻蝕，將所述第一圖形和第二圖形轉移至所述介質層。

12.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，在形成所述光刻膠層之前，還包括：形成防反射層，覆蓋所述壓印后的硬掩膜層的表面。

13.根據權利要求1所述的雙重圖形化方法，其特征在于，所述壓印模具的材料為兩種或兩種以上金屬的合金，或金剛石。