[發(fā)明專利]光刻方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010567658.2 | 申請日： | 2010-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102478763A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫武;張海洋;鮑宇;安輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/09;G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光刻 方法 | ||
1.一種光刻方法，其特征在于，包括：
提供待刻蝕層；
在所述待刻蝕層表面依次形成DBARC層、硬掩模層以及光刻膠掩模；
以所述光刻膠掩模為掩模依次刻蝕硬掩模層、DBARC層以及待刻蝕層，且所述刻蝕還同時去除光刻膠掩模以及硬掩模層；
使用顯影液去除所述DBARC層。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述待刻蝕層包括刻蝕停止層以及位于其上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的材質(zhì)為黑鉆石，介電常數(shù)2.2～3.0。
3.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在形成DBARC層之前，還包括在所述待刻蝕層的表面形成覆蓋層。
4.如權(quán)利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述覆蓋層的材質(zhì)為正硅酸乙酯、氮氧化硅或其組合，通過化學(xué)氣相沉積形成，厚度范圍為
5.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述DBARC層采用旋涂工藝形成，厚度范圍為
6.如權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述硬掩模層為低溫氧化硅層、含硅抗反射層或低溫氮氧化硅層，通過化學(xué)氣相沉積形成，厚度范圍為沉積溫度范圍為170℃～250℃。
7.如權(quán)利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻膠掩模通過旋涂光刻膠并曝光顯影形成，厚度范圍為
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G03F7-00 圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備
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