[發明專利]在單任務中實現同時燒寫多片NANDFLASH的方法有效
| 申請號: | 201010567329.8 | 申請日: | 2010-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN102034543A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 趙進云 | 申請(專利權)人: | 福建鑫諾通訊技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司: | 福州市鼓樓區京華專利事務所(普通合伙) 35212 | 代理人: | 翁素華 |
| 地址: | 350000 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 任務 實現 同時 燒寫多片 nandflash 方法 | ||
1.一種在單任務中實現同時燒寫多片NANDFLASH的方法,其特征在于:首先從外部存儲器讀取要燒寫的鏡像文件,然后把鏡像文件寫入到母片中;在燒寫的時候把母片中的數據導入到所有燒寫座上的NANDFLASH芯片;在此過程中:采用在單線程任務中同時控制多片NANDFLASH芯片的信號引腳的方式對多片NANDFLASH芯片執行燒寫操作;在錯誤處理的方式上:燒寫代碼每次都對所有的NANDFLASH芯片發起編程操作即先設置每塊NANDFLASH芯片對應的地址,不跳過異?;虿辉谖坏腘ANDFLASH芯片,只要有一片編程成功,上層燒寫代碼獲取到的編程狀態都是成功的;當上層燒寫代碼獲取異?;虿辉谖坏男酒木幊虪顟B時,由燒寫系統軟件模擬返回成功。
2.根據權利要求1所述的在單任務中實現同時燒寫多片NANDFLASH的方法,其特征在于:所述的燒寫系統軟件模擬返回成功的方式是:在發現哪塊NANDFLASH芯片燒寫異常、錯誤時斷開相應SN74HC245的電源,同時判斷該NANDFLASH芯片RB腳狀態的操作永遠都返回READY狀態,讓讀取此NANDFLASH芯片I/O腳的操作也都返回成功狀態。
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