[發明專利]具有多層復合防護膜的基底材料的制備方法

無效

• 申請號: 201010565287.4
• 申請日: 2010-11-30
• 公開（公告）號: CN101974734A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 尹桂林;宋佳;金彩虹;何丹農
• 申請（專利權）人: 上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 陸聰明

1.一種具有多層復合無機防護膜的基底材料制備方法，其特征在于該方法的具體步驟為：

a.將基底材料進行預處理并放入反應室，將反應室溫度加熱至100oC～500oC；

b.將三甲基鋁或Al(CH₃)N(CH₂)₅CH₃前驅體在0.1托～10托壓力下通入反應室，時間為0.2秒～5秒；

c.將氮氣或惰性氣體通入反應室，以清除未被基底化學吸附的三甲基鋁或Al(CH₃)N(CH₂)₅CH₃殘余氣體；

d.在0.1托～10托壓力下，將臭氧或水蒸汽反應氣體通入反應室，時間為0.2秒～5秒，使被基底吸附的三甲基鋁分子與臭氧或水蒸汽發生反應，形成一層氧化鋁原子層的沉積；

e.再將氮氣或者惰性氣體通入反應室，以清除未發生反應的臭氧或水蒸汽以及所述反應的副產物；

f.重復步驟b～e，使基底上覆蓋的氧化鋁層的厚度達到2nm～100nm；

g.以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯為硅源，取代步驟b～f中的三甲基鋁或Al(CH₃)N(CH₂)₅CH₃前驅體，重復步驟b～f，在氧化鋁層上覆蓋二氧化硅層；二氧化硅層的厚度為2nm～100nm；最終得到一個厚度為5～120nm的具有Al₂O₃/?SiO₂雙層結構復合無機防護膜的基底材料。

2.根據權利要求1所述的具有多層復合無機防護膜的基底材料制備方法，其特征在于上述的具有Al₂O₃/?SiO₂雙層結構復合無機防護膜的基底材料，再重復步驟b～g，形成一個Al₂O₃/?SiO₂/Al₂O₃/?SiO₂/……的多層復合結構，復合層的總厚度為：10～120nm。

3.根據權利要求1或2所述的具有多層復合無機防護膜的基底材料制備方法，其特征在于上述的基底為金屬或合金。

4.根據權利要求3所述的具有多層復合無機防護膜的基底材料制備方法，其特征在于上述的金屬有：鎂、鋁、銅、鐵或銀；所述的合金為：含有鎂、鋁、銅、鐵或銀中一種或鋁鎂合金。