[發明專利]一種用于紅外焦平面倒焊互連的銦柱及其制備方法

有效

• 申請號: 201010565090.0
• 申請日: 2010-11-26
• 公開（公告）號: CN102136484A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 廖清君;馬偉平;朱建妹;林春;王建新;胡曉寧
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/02;H01L31/18;G03F7/00;B81C1/00
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

1.一種用于紅外焦平面倒焊互連的銦柱，其特征在于：它是一個底面和頂面為正方形的錐體，所述銦柱底面的正方形邊長x為10～12微米，所述銦柱頂面的正方形邊長y為5～7微米，所述銦柱的高度z為8～12微米。

2.一種如權利要求1所述的銦柱陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)將需要制備銦柱的芯片清洗干凈，放入烘箱中烘烤30～40分鐘，烘烤溫度為60～70攝氏度；

2)將勻膠機條件設置為轉速為1500～2500轉/分，時間為20～40秒，在芯片表面旋涂一層AZ4620光刻膠，然后放入溫度為60～70攝氏度的烘箱中烘烤30～40分鐘；

3)采用光刻孔為10～14微米的光刻版對芯片進行曝光，曝光時間為20～30秒，曝光后的芯片不顯影；

4)將勻膠機條件設置為轉速為2000～4000轉/分，時間為20～40秒，在曝光后的芯片表面再旋涂一層AZ1500光刻膠，然后放入60～70攝氏度的烘箱中烘烤30～40分鐘；

5)采用光刻孔為5～7微米的光刻版對芯片進行對準曝光，5～7微米的小孔必須位于10～14微米的大孔中央，曝光時間為5～10秒；

6)兩次曝光后的芯片放入AZ400K顯影液中顯影60～80秒，經過純水定影30～40秒后，放入60～70攝氏度的烘箱中烘烤30～40分鐘，獲得頂部小底部大的銦柱光刻孔；

7)將制備好銦柱光刻孔的芯片用高真空熱蒸發的方法沉積銦層，沉積速率為150～200nm/分鐘，沉積時間為50～70分鐘，保證芯片處于蒸發源的正上方；

8)將制備好銦層的芯片放入丙酮中浸泡60～90分鐘，再用無水乙醇清洗，剝離芯片上多余的銦層，獲得底部尺寸為10～12微米，頂部尺寸為5～6微米，高度為8～10微米的銦柱陣列。