[發明專利]場發射像素管

有效

• 申請號: 201010563927.8
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN102024654A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 魏洋;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01J31/12
• 分類號: H01J31/12;H01J29/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種場發射像素管，其包括：

一殼體，所述殼體具有一出光部；

一熒光粉層及一陽極，所述陽極及熒光粉層設置于所述殼體出光部；

一陰極，所述陰極與所述陽極間隔設置，該陰極包括一陰極支撐體與至少一電子發射體；

其特征在于，所述至少一電子發射體包括一碳納米管管狀結構，所述碳納米管管狀結構的一端與所述陰極支撐體電連接，所述碳納米管管狀結構的另一端向所述陽極延伸作為電子發射體的電子發射端，所述碳納米管管狀結構為多個碳納米管圍繞一中空的線狀軸心組成，所述碳納米管管狀結構在電子發射端延伸出多個電子發射尖端。

2.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，所述碳納米管管狀結構中大多數碳納米管通過范德華力首尾相連并圍繞中空的線狀軸心螺旋延伸。

3.如權利要求2所述的場發射像素管，其特征在于，所述碳納米管管狀結構中大多數碳納米管的螺旋方向與所述線狀軸心的長度方向形成一定的交叉角α，且0°＜α≤90°。

4.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，在所述電子發射體的電子發射端，所述碳納米管管狀結構具有一類圓錐形的電子發射部。

5.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，所述碳納米管管狀結構的電子發射部的末端具有一開口，所述碳納米管管狀結構從開口處延伸出多個碳納米管束作為多個電子發射尖端。

6.如權利要求5所述的場發射像素管，其特征在于，所述開口的直徑為4微米至6微米。

7.如權利要求5所述的場發射像素管，其特征在于，所述多個電子發射尖端圍繞所述線狀軸心呈環狀排列，且向所述陽極延伸。

8.如權利要求7所述的場發射像素管，其特征在于，所述多個電子發射尖端的延伸方向逐漸遠離所述線狀軸心。

9.如權利要求5所述的場發射像素管，其特征在于，所述每個電子發射尖端包括多個基本平行的碳納米管，每個電子發射尖端的中心處突出有一根碳納米管。

10.如權利要求9所述的場發射像素管，其特征在于，所述相鄰的電子發射尖端中突出的碳納米管之間的距離為0.1微米～2微米。

11.如權利要求9所述的場發射像素管，其特征在于，所述多個電子發射尖端中相鄰的兩個電子發射尖端中突出的碳納米管之間的間距與突出的碳納米管的直徑的比值為20∶1至500∶1。

12.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，所述電子發射體進一步包括一線狀支撐體設置在所述碳納米管管狀結構的中空的線狀軸心處。

13.如權利要求11所述的場發射像素管，其特征在于，所述線狀支撐體為導電體。

14.如權利要求12所述的場發射像素管，其特征在于，所述碳納米管管狀結構通過所述線狀支撐體支撐并與所述陰極支撐體電連接。

15.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，所述陰極包括多個電子發射體相互間隔設置并與所述陰極支撐體電連接。

16.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，所述場發射像素管進一步包括一柵極設置于陰極與陽極之間，且與所述陰極和所述陽極分別間隔設置。

17.如權利要求1所述的場發射像素管，其特征在于，所述場發射像素管進一步包括一位于殼體內的吸氣劑。

18.一種場發射像素管，其包括：

一殼體，所述殼體具有一出光部；

一熒光粉層及一陽極，所述陽極及熒光粉層設置于所述殼體出光部；

一陰極，所述陰極與所述陽極間隔設置，該陰極包括一陰極支撐體與至少一電子發射體，

其特征在于，所述至少一電子發射體包括一碳納米管管狀結構，所述碳納米管管狀結構的一端與所述陰極支撐體電連接，所述碳納米管管狀結構的另一端向所述陽極延伸作為電子發射體的電子發射端，在所述電子發射端，所述碳納米管管狀結構具有一開口，所述碳納米管管狀結構從開口處延伸出多個電子發射尖端。

19.一種場發射像素管，其包括：

一殼體，所述殼體具有一出光部；

一熒光粉層及一陽極，所述陽極及熒光粉層設置于所述殼體出光部；

一陰極，所述陰極與所述陽極間隔設置，該陰極包括一陰極支撐體與至少一電子發射體；

其特征在于，所述至少一電子發射體包括一線狀支撐體以及一碳納米管管狀結構設置在所述線狀支撐體表面組成一碳納米管復合線狀結構，所述碳納米管復合線狀結構的一端與所述陰極支撐體電連接，所述碳納米管復合線狀結構的另一端向所述陽極延伸作為電子發射體的電子發射端，所述碳納米管層在電子發射端延伸出多個電子發射尖端。