[發明專利]接地參考電壓感測放大器電路及其操作方法有效
| 申請號: | 201010563348.3 | 申請日: | 2010-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN102376339A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 歐圖爾·卡圖契;戈馬克·麥克·歐康諾 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/06 | 分類號: | G11C7/06;G11C11/4063 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陳晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接地 參考 電壓 放大器 電路 及其 操作方法 | ||
1.一種接地參考電壓感測放大器電路,包括:
一第一數據線;
一第二數據線;
一感測電路,耦接該第一數據線及該第二數據線;
一節點,用于選擇性地耦接至少三個電壓源,所述至少三個電壓源包括一第一電壓源、一第二電壓源與一第三電壓源;該第一電壓源用于供應一保留電壓到該節點;該第二電壓源用于供應一接地參考電壓到該節點;以及該第三電壓源用于供應一參考電壓到該節點;以及
一第一開關及一第二開關,用于接收各自的第一控制信號及第二控制信號,且傳送在該節點的一電壓到該各自的第一數據線及第二數據線。
2.如權利要求1所述的接地參考電壓感測放大器電路,其中當耦接該第一數據線的一存儲單元是在保留模式,該第一電壓源用于供應一電壓值到該節點以至于由該存儲單元漏到該第一數據線或該第二數據線的一電流相對于接收一電壓VSS值的節點是降低的。
3.如權利要求1所述的接地參考電壓感測放大器電路,其中當耦接該第一數據線的一存儲單元是在保留模式,該第一電壓源用于供應一保留電壓值到該節點。
4.如權利要求3所述的接地參考電壓感測放大器電路,其中該保留電壓值是在該存儲單元的一運算電壓的大約1/3到大約1/2的一個范圍。
5.如權利要求1所述的接地參考電壓感測放大器電路,還包括當該位元線是在一第一邏輯電平時,一字元線用于設定耦接該第一數據線的一存儲單元于一數據保留模式,當該字元線在不同于該第一邏輯電平的一第二邏輯電平時,設定在一存取模式。
6.如權利要求1所述的接地參考電壓感測放大器電路,其中該節點用于經由至少三個各自的開關選擇性地耦接到所述至少三個電壓源。
7.一種操作接地參考感測放大器的方法,包括:
施加一保留電壓值到一第一位元線、一第二位元線、一第一供應電源線及一第二供應電源線;
識別用于存取的一存儲單元;
施加一電壓VSS值到該第一位元線、該第二位元線、該第一供應電源線及該第二供應電源線;
電連接該第一位元線到該存儲單元,及施加一參考電壓值到該第二位元線,借此發展該第一位元線及該第二位元線之間的一電壓裂痕;以及
斷開該第二位元線與該參考電壓,以及施加一運算電壓值到該第一供應電源線,借此更近一步發展該電壓裂痕。
8.如權利要求7所述的操作接地參考感測放大器的方法,當該電壓裂痕更進一步發展到一既定值時,還包括施加該保留電壓值到該第一位元線、該第二位元線、該第一供應電源線及該第二供應電源線。
9.如權利要求7所述的操作接地參考感測放大器的方法,其中施加該保留電壓值到該第一位元線及該第二位元線包括控制耦接該第一位元線及該第二位元線的一晶體管,所以該晶體管等化該第一位元線及該第二位元線到一第一電壓值。
10.如權利要求9所述的操作接地參考感測放大器的方法,其中施加該保留電壓值到該第一位元線及該第二位元線還包括在等化該第一位元線及該第二位元線到該第一電壓值之后,傳送該保留電壓值到一節點,且控制一對開關以經由該對開關的一各自開關由該節點傳送該保留電壓值到該第一位元線及該第二位元線。
11.如權利要求7所述的操作接地參考感測放大器的方法,其中施加該保留電壓值到該第一位元線及該第二位元線包括傳送該保留電壓值到一節點且控制一對開關以經由該對開關的一各自開關由該節點傳送該保留電壓值到該第一位元線及該第二位元線。
12.如權利要求11所述的操作接地參考感測放大器的方法,其中傳送該保留電壓值到該節點包括控制一第三開關,該第三開關具有一第一端耦接該節點,及一第二端耦接供應該保留電壓值的一電壓源;以及
使用該第三開關及該電壓源以供應該參考電壓到該節點及到該第二位元線。
13.如權利要求11所述的操作接地參考感測放大器的方法,其中該節點耦接至少三個開關且該方法更包括:
使用所述至少三個開關的一第一開關以選擇性地由一第一電壓源傳送該保留電壓值到該端點;
使用所述至少三個開關的一第二開關以選擇性地由一第二電壓源傳送該電壓VSS值到該端點;以及
使用所述至少三個開關的一第三開關以選擇性地傳送該參考電壓值到該端點。
14.如權利要求7所述的操作接地參考傳感放大器的方法,還包括選擇該保留電壓值在介于大約一電壓值的1/3到大約1/2之間,建構一邏輯高電位用于儲存在該存儲單元的數據。
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