[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管芯片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010563300.2
• 申請日: 2010-11-26
• 公開（公告）號: CN102479896A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖志國;常遠(yuǎn);武勝利;王力明;高本良;齊乃際;高百卉;薛蕾;陳向東
• 申請（專利權(quán)）人: 大連美明外延片科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管芯片，其結(jié)構(gòu)自上而下依次為：焊線電極，N型歐姆接觸電極，N型電流擴(kuò)展層，N型限制層，多層量子阱結(jié)構(gòu)，P型限制層，P型電流擴(kuò)展層，介質(zhì)層，P型歐姆接觸觸點，金屬反射鏡，鍵合金屬層，第一基板接觸電極，永久基板和第二基板接觸電極；其特征在于：發(fā)光二極管芯片內(nèi)設(shè)置有溝槽，溝槽貫穿N型限制層、多層量子阱結(jié)構(gòu)、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層，將所述N型限制層、多層量子阱結(jié)構(gòu)、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層分割為5-10個塊狀區(qū)域，其中中心的1個塊狀區(qū)域被周圍其余塊狀區(qū)域環(huán)繞；所述其余塊狀區(qū)域下方的介質(zhì)層中有P型歐姆接觸觸點分布，P型歐姆接觸觸點兩端分別與P型電流擴(kuò)展層和金屬鏡面層接觸；其中，所述溝槽的深度等于所述N型限制層、多層量子阱結(jié)構(gòu)、P型限制層和P型電流擴(kuò)展層厚度的總和。

2.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述介質(zhì)層是透明且不導(dǎo)電的SiO₂、Si₃N₄、TiO₂或Al₂O₃。

3.如權(quán)利要求1所述的一種圖形化外延結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于：所述永久基板是GaAs、GaN、Si或SiC。

4.如權(quán)利要求1、2或3所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述第一基板接觸電極和第二基板接觸電極是完整覆蓋于基板表面的面狀電極。

5.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述溝槽的截面為方形、梯形或U型。

6.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述塊狀區(qū)域的數(shù)量為5-9個。

7.如權(quán)利要求1、2、3或5所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述塊狀區(qū)域的數(shù)量為5個。

8.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述溝槽的截面為方形或U型。