[發明專利]光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器無效

申請號：	201010563167.0	申請日：	2010-11-29
公開（公告）號：	CN102097520A	公開（公告）日：	2011-06-15
發明（設計）人：	李海軍;楊樂臣;劉冬;付凱;王逸群;張寶順	申請（專利權）人：	中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
主分類號：	H01L31/101	分類號：	H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0304
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	215123 江蘇省蘇州***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	光子晶體耦合多色量子紅外探測器
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【權利要求書】：

1.一種光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述紅外探測器包括自下而上的順序依次設置的襯底、緩沖層、第一接觸層、多量子阱層、第二接觸層和光子晶體耦合層，其中，第一接觸層和第二接觸層上還分別設置有探測器下電極和探測器上電極。

2.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述光子晶體耦合層主要由缺陷型光子晶體組成。

3.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述緩沖層是采用AlN材料形成。

4.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述接觸層為AlGaN:Si接觸層。

5.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述多量子阱層為GaN/AlGaN多量子阱層。

6.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述探測器上電極環繞光子晶體耦合層設置。

7.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述探測器下電極環繞多量子阱層設置。

8.根據權利要求1所述的光子晶體耦合型多色量子阱紅外探測器，其特征在于，所述紅外探測器包括自下而上的順序依次設置的襯底、AlN緩沖層、第一AlGaN:Si接觸層、GaN/AlGaN多量子阱層、第二AlGaN:Si接觸層和缺陷型光子晶體結構耦合層，其中，第一AlGaN:Si接觸層和第二AlGaN:Si接觸層上還分別設置有探測器下電極和探測器上電極。

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