[發明專利]基板鍍膜設備的氣體分布系統及方法無效
| 申請號: | 201010563113.4 | 申請日: | 2010-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN102061458A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 胡增鑫;麥耀華 | 申請(專利權)人: | 保定天威集團有限公司;保定天威薄膜光伏有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;H01L31/18 |
| 代理公司: | 唐山順誠專利事務所 13106 | 代理人: | 于文順 |
| 地址: | 071051 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜 設備 氣體 分布 系統 方法 | ||
1.一種基板鍍膜設備的氣體分布系統,其特征在于具有安裝于氣盒外框(11)內部的隔離板(13),噴淋板(21),外框的腔室上蓋板(3),所述隔離板(13)與腔室上蓋板(3)形成上層氣盒(17),且與噴淋板(21)形成下層氣盒(18)。
2.根據權利要求1所述之基板鍍膜設備的氣體分布系統,其特征在于所述氣體分布系統(5)還具有上層布氣管網(19)和下層布氣管網(20),分別安裝于上層氣盒(17)和下層氣盒(18)。
3.根據權利要求2所述之基板鍍膜設備的氣體分布系統,其特征在于所述的氣體分布系統(5),隔離板(13)上設置隔離板孔陣列(35),該陣列孔的位置對應于且孔的數量少于噴淋板(21)上的噴淋板孔陣列(36),并設有貫通微管,貫通微管(32)的一端鑲嵌式安裝于隔離板孔陣列(35)的每個孔內,另外一端與相應位置的噴淋板(21)的噴淋板孔陣列(36)緊密連接,所述貫通微管(32)陣列貫穿下層氣盒,形成上層氣盒(17)向反應空間供應氣體的獨立通道。
4.根據權利要求2所述之基板鍍膜設備的氣體分布系統,其特征在于所述的氣體分布系統(5),布氣管網由一個主管(23)和若干支管(24)組成,主管和支管上布置一系列均勻排布的微孔(26),所述上層布氣管網(19)和下層布氣管網(20)的氣體入口(29)連接至進氣連接元件(9),兩種互相反應的氣體分別通過所述進氣連接元件(9)進入上層布氣管網(19)和下層布氣管網(20)的主管(23),然后分流進入支管(24),最后由微孔(26)噴出在上層氣盒(17)和下層氣盒(28)中實現大面積均勻分布。
5.一種基板鍍膜設備的氣體分布方法,其特征在于通過氣體分布系統將氣體均勻分布和混合分解為兩個相互不接觸的階段,保證兩種以上的反應氣體在氣體分布系統內部進行均勻分布時不互相接觸因而不發生反應。
6.根據權利要求5所述之基板鍍膜設備的氣體分布方法,其特征在于所說的氣體分布系統包括一個隔離板和一個噴淋板;其中隔離板上有均布的小孔陣列,隔離板上有均布且大于隔離板小孔數量的小孔陣列,兩板之間對應位置的小孔以貫通微管連接;結合由四周側面板構成的外框,在上方作為背面板的腔室上蓋板與中間的隔離板之間形成上層氣盒,在隔離板與下方的噴淋板之間形成下層氣盒;至少在一個側面板上存在至少兩個反應氣體入口,分別與上層氣盒和下層氣盒連通。
7.根據權利要求6所述之基板鍍膜設備的氣體分布方法,其特征在于在背面板和隔離板的下表面安裝布氣管網,通過軟管與各自氣體入口連接。
8.根據權利要求6所述之超基板鍍膜設備的氣體分布方法,其特征在于將金屬有機化合物反應氣體通過上層氣體入口通入上層氣盒的布氣管網,而將V、VI族氫化物反應氣體通過下層氣體入口通入下層氣盒的布氣管網;兩種氣體從布氣管網中噴出后在各自的氣盒內部實現進一步均勻分布,上、下氣盒中的氣體通過中間的隔離板和貫通微管隔離而不互相混合;上層氣體通過貫通微管從與之相連噴淋板的小孔中噴出,下層氣體直接從噴淋板的不連接貫通微管的其余小孔中噴出,兩種氣體在通過不同路徑從噴淋板噴出后在基板表面發生混合和反應。
9.根據權利要求4所述之基板鍍膜設備的氣體分布方法,其特征在于各面板之間以緊固螺栓連接,噴淋板內部安裝冷卻水管道回路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于保定天威集團有限公司;保定天威薄膜光伏有限公司,未經保定天威集團有限公司;保定天威薄膜光伏有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010563113.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種加氫裂化催化劑及其制備方法
- 下一篇:一種選擇性提取鋰的離子篩及其應用
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





