[發明專利]一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法無效
| 申請號： | 201010562234.7 | 申請日： | 2010-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN102064237A | 公開（公告）日： | 2011-05-18 |
| 發明（設計）人： | 夏正月;李曉強;陶龍忠 | 申請（專利權）人： | 奧特斯維能源(太倉）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C23C16/40;C23C16/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 215434 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 晶體 太陽電池 雙層 鈍化 方法 | ||
1.一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：
（1）選取硅片進行清洗，以及拋光或制絨；
（2）?將步驟（1）所得硅片采用ALD或者PECVD方法生長Al2O3，折射率1.5-1.7，厚度10-80?nm；
（3）?將步驟（2）所得硅片采用PECVD或者PVD方法生長SiNx，折射率1.9-2.2，厚度30-150nm；
（4）將步驟（3）所得樣品在溫度200-600℃下，在N2或者氫氣氬氣混合物氣氛中退火1-30分鐘，得到雙層鈍化介質膜。
2.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（1）中采用NaOH或HF或HCL溶液進行清洗。
3.根據權利要求2所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（1）中采用1%?HF溶液進行清洗。
4.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（1）中采用20%?NaOH溶液進行拋光。
5.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（1）中采用2.5%NaOH溶液進行制絨。
6.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（2）中所述折射率為1.6，厚度為30?nm。
7.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（3）中所述折射率為2.05，厚度為100nm。
8.根據權利要求1所述的一種用于晶體硅太陽電池的雙層鈍化方法，其特征在于：所述步驟（3）中所述溫度為400℃，所述退火時間為10分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
