[發(fā)明專利]低壓雙向保護(hù)二級(jí)管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010561335.2
• 申請(qǐng)日: 2010-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN102130183A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 本杰明·莫里永
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(圖爾)公司
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 張春媛;閻娬斌

1.一種垂直雙向保護(hù)二極管，其包括，在第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s襯底(1)上的第一、第二和第一導(dǎo)電類型的第一(3)、第二(4)和第三(5)區(qū)域，這些區(qū)域的摻雜級(jí)都大于2到5x10¹⁹atoms/cm³，并且被絕緣溝道(7)橫向分隔，這些區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域的厚度都小于4μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的雙向保護(hù)二極管，其中第二和第三區(qū)域由厚度小于4μm的外延層中的植入物形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的雙保護(hù)向二極管，其中這些不同的區(qū)域分別是P型、N型和P型，第一區(qū)域的最大摻雜級(jí)近似為5x10¹⁹atoms/cm³，第二區(qū)域的最大摻雜級(jí)近似為10²⁰atoms/cm³，以及第三區(qū)域的最大摻雜級(jí)近似為5x10¹⁹atoms/cm³，每個(gè)區(qū)域的摻雜曲線的頂部間隔小于3μm。

4.一種用于制造垂直雙向保護(hù)二極管的方法，其包括以下步驟：

在重?fù)诫sP型襯底(1)中形成第一最重?fù)诫sP型區(qū)域(3)；

在該結(jié)構(gòu)上形成第一外延層(14)；

在第一外延層(14)中形成第二重?fù)诫sN型區(qū)域(4)；

在該結(jié)構(gòu)上形成第二外延層(15)；

在第二外延層(15)中形成第三重?fù)诫sP型區(qū)域(5)；和

該結(jié)構(gòu)四周圍繞橫越前述三個(gè)區(qū)域的絕緣溝道。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中最后兩個(gè)步驟的順序可以倒置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中完成重?fù)诫s區(qū)域的植入物的劑量范圍在1到10x10¹⁶atoms/cm²之間。