[發(fā)明專利]相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)及制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010560166.0
• 申請(qǐng)日: 2010-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN102479740A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李凡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L27/24
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有深溝槽；

在所述深溝槽內(nèi)形成填充層，且所述填充層厚度小于所述深溝槽深度；

在所述深溝槽頂部的兩側(cè)側(cè)壁形成側(cè)墻，且所述深溝槽兩側(cè)側(cè)壁內(nèi)的側(cè)墻之間具有暴露所述填充層的空隙；

去除所述填充層；

形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底、且填充所述側(cè)墻之間間隙的介質(zhì)層；

平坦化所述介質(zhì)層，直至露出半導(dǎo)體襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述填充層為可灰化薄膜，所述填充層深650～1300nm。

3.如權(quán)利要求2所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述可灰化薄膜的材料為非晶質(zhì)碳、類金剛碳、有機(jī)抗反射涂層。

4.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，還包括：與深溝槽隔離結(jié)構(gòu)交叉排列的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述深溝槽未被填充部分的深度大于淺溝槽深度0～100nm。

6.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，去除所述填充層為O₂或CO₂氣體，氣壓為6～14Pa。

7.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述側(cè)墻為氧化物薄膜，所述側(cè)墻厚度為

8.如權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述深溝槽的形成工藝為各向異性干法刻蝕。

9.如權(quán)利要求8所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述深溝槽寬為65～80nm，深為1.5～2μm。

10.一種如權(quán)利要求1～9所述的任一項(xiàng)制作方法形成的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)的深溝槽；

位于所述深溝槽頂部?jī)蓚?cè)側(cè)壁內(nèi)的側(cè)墻，且所述深溝槽兩側(cè)側(cè)壁內(nèi)的側(cè)墻之間具有間隙；

填充所述深溝槽兩側(cè)側(cè)壁的側(cè)墻之間間隙的介質(zhì)層；

位于所述深溝槽底部與所述側(cè)墻和所述介質(zhì)層之間的空腔。

11.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深溝槽寬為65～80nm，深為1.5～2μm。

12.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深溝槽兩側(cè)側(cè)壁內(nèi)的側(cè)墻為氧化物薄膜，厚度為所述深溝槽兩側(cè)側(cè)壁內(nèi)的側(cè)墻之間間隙為3～10nm。

13.如權(quán)利要求10所述的相變存儲(chǔ)器深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空腔深650～1300nm。