[發明專利]半導體管芯切單方法

有效

• 申請號: 201010560127.0
• 申請日: 2010-11-25
• 公開（公告）號: CN102130048A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: G·M·格里瓦納;M·J·塞登
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種形成半導體管芯的方法，包括：

提供具有半導體基底的半導體晶片，所述半導體基底具有第一厚度、頂面、底面、以及多個半導體管芯，所述多個半導體管芯在所述半導體基底的頂面上形成，并且通過所述半導體晶片的要形成切單線處的部分相互分離；

翻轉所述半導體晶片；

將所述半導體晶片的底面的內部部分的厚度減少至小于所述第一厚度的第二厚度，并留下具有所述第一厚度的所述半導體晶片的外側輪緣，其中所述外側輪緣與所述半導體晶片的邊緣并列，并且其中所述內部部分位于所述多個半導體管芯的下面；

在所述半導體晶片的底面的內部部分上形成保護層，其中所述保護層是金屬、金屬化合物和金屬-硅化合物中的一種；以及

使用干式蝕刻以將所述外側輪緣的所述第一厚度減少至第三厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度，其中所述保護層保護所述內部部分不被干式蝕刻，使得所述第二厚度保持基本恒定。

2.如權利要求1所述的方法，其中使用所述干式蝕刻來減少所述第一厚度包括使用蝕刻硅比蝕刻金屬要快的干式蝕刻。

3.如權利要求1所述的方法，其中翻轉所述半導體晶片包括在翻轉所述半導體晶片之前，將支撐設備連接到所述半導體晶片的頂面。

4.如權利要求3所述的方法，還包括在形成所述保護層之前移除所述支撐設備。

5.如權利要求1所述的方法，其中形成所述保護層包括：圖案化所述保護層以暴露所述半導體基底的要形成所述切單線處的部分；以及

其中使用所述干式蝕刻以減少所述第一厚度包括：使用所述干式蝕刻以從所述半導體基底的底面貫穿所述半導體基底到達所述半導體基底的頂面來蝕刻所述切單線。

6.如權利要求1所述的方法，還包括在使用所述干式蝕刻來減少所述第一厚度的步驟之前，從所述外側輪緣的底面移除任何保護層。

7.一種形成半導體管芯的方法，包括：

提供具有半導體基底的半導體晶片，所述半導體基底具有第一厚度、頂面、底面以及多個半導體管芯，所述多個半導體管芯在所述半導體基底的頂面上形成，并且通過所述半導體晶片的要形成切單線處的部分相互分離；

將所述半導體晶片的底面的內部部分的厚度減少至小于所述第一厚度的第二厚度，并留下具有所述第一厚度的所述半導體晶片的外側輪緣，其中所述外側輪緣與所述半導體晶片的邊緣并列，并且其中所述內部部分位于所述多個半導體管芯的下面；

在所述晶片的底面的內部部分上形成保護層，其中所述保護層是金屬、金屬化合物和金屬-硅化合物中的一種；以及

使用干式蝕刻以在要形成所述切單線處形成切單開口，包括：形成貫穿所述半導體基底的所述切單開口，其中在所述外側輪緣和與該外側輪緣相鄰的任何半導體管芯之間形成至少一個切單開口。

8.如權利要求7所述的方法，其中形成所述保護層包括圖案化所述保護層以暴露所述半導體晶片的底面的要形成所述切單線處的部分；以及

其中使用所述干式蝕刻以形成所述切單開口的步驟包括使用所述保護層作為掩模，同時使用所述干式蝕刻來從所述半導體晶片的底面貫穿所述半導體基底到達所述半導體基底的頂面來蝕刻所述切單開口，以及使用所述干式蝕刻來蝕刻所述外側輪緣并將所述外側輪緣的第一厚度減少至第三厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度。

9.如權利要求8所述的方法，還包括在使用所述干式蝕刻以形成所述切單開口的步驟之前，移除所述外側輪緣的底面上的所述保護層的任何部分。

10.如權利要求8所述的方法，還包括掩蓋所述外側輪緣的底面以防止在所述外側輪緣的底面上形成任何所述保護層。