[發明專利]半導體裝置及其制造方法、顯示裝置

無效

• 申請號: 201010560100.1
• 申請日: 2007-08-03
• 公開（公告）號: CN102097325A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 守口正生;齊藤裕一
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

包括：

在絕緣基板上形成柵電極的第一工序，

以覆蓋上述柵電極的形式形成柵極絕緣膜的第二工序，

形成半導體層和做為包含雜質的半導體層的雜質層的第三工序，

蝕刻上述半導體層形成激活層的第四工序，

通過蝕刻上述雜質層形成源極區域及漏極區域的第五工序；

上述第三工序中，包括以覆蓋上述柵極絕緣膜的形式形成第一非晶膜的工序、和以覆蓋上述第一非晶膜的形式形成包含晶相的結晶膜的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，包括以覆蓋上述結晶膜的形式形成第二非晶膜的工序。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，在上述半導體層上面形成蝕刻阻止部，以覆蓋上述半導體層及上述蝕刻阻止部的形式形成上述雜質層。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，由等離子體化學氣相沉積法形成上述半導體層。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述第三工序中，由高密度等離子體化學氣相沉積法形成上述結晶膜。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述高密度等離子體化學氣相沉積法，是電感耦合等離子體方式。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述高密度等離子體化學氣相沉積法，是表面波等離子體方式。

8.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述高密度等離子體化學氣相沉積法，是電子回旋共振方式。

9.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述等離子體化學氣相沉積法中，沉積壓力在0.133Pa以上且在13.3Pa以下。

10.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述等離子體化學氣相沉積法中，做為原料氣體應用SiH₄及H₂，上述SiH₄及H₂的流量比SiH₄/H₂，在1/30以上且在1/1以下。

11.根據權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

上述等離子體化學氣相沉積法中，做為原料氣體只應用SiH₄。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在形成上述結晶膜之前，對上述第一非晶膜進行用氫氣等離子體的表面處理。