[發明專利]一種GaAs基LED芯片的激光切割方法無效
| 申請號： | 201010558452.3 | 申請日： | 2010-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102079015A | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發明（設計）人： | 趙霞焱;徐現剛;張秋霞;黃少梅 | 申請（專利權）人： | 山東華光光電子有限公司 |
| 主分類號： | B23K26/36 | 分類號： | B23K26/36;B23K26/06;B23K26/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gaas led 芯片 激光 切割 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaAs基LED芯片的激光切割方法，其特征是：在GaAs芯片N面用激光切割形成激光劃痕，然后在GaAs芯片P面用裂片機沿激光劃痕將芯片裂開，形成激光劃痕的深度為芯片厚度的1/10-4/5，具體包括以下步驟：
(1)將GaAs基LED芯片貼在一張膜上，使芯片的P面朝向這張膜，N面朝上，放置于激光劃片機內的轉盤上，調節芯片水平，確定芯片切割范圍并確定切割道；
(2)將激光器發出的連續激光經過一個修正光路后聚焦到GaAs基LED芯片上表面，開始切割，切割深度為芯片厚度的1/10-4/5；所述修正光路包括五個全反鏡和四個透視鏡，五個全反鏡依次設置在激光劃片機的激光器和激光頭之間，其中三個透視鏡并排排列于第二和第三全反鏡之間，另一個透視鏡位于最后一個全反鏡和激光頭之間；
(3)將激光劃片后的GaAs基LED芯片翻轉到另一張膜上，此時芯片N面朝該膜，P面朝上，用裂片機沿激光劃痕將芯片裂開，芯片就被加工成了單獨的芯片。
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