[發明專利]自對準內嵌肖特基結的功率半導體場效應晶體管無效

申請號：	201010556115.0	申請日：	2010-11-23
公開（公告）號：	CN102064199A	公開（公告）日：	2011-05-18
發明（設計）人：	王穎;焦文利;曹菲;劉云濤;邵雷	申請（專利權）人：	哈爾濱工程大學
主分類號：	H01L29/812	分類號：	H01L29/812
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區***	國省代碼：	黑龍江;23
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摘要：
搜索關鍵詞：	對準內嵌肖特基結功率半導體場效應晶體管
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【權利要求書】：

1.一種自對準內嵌肖特基結的功率半導體場效應晶體管，包括漏區(1)、漂移區(2)、柵氧化層(3)、柵電極(4)、場氧化層(5)、溝道區(6)、側壁氧化層(7)、陽極(8)和源電極(9)；在漏區(1)之上形成位于基底上的漂移區摻雜層；在所述摻雜層上形成柵極區，柵極區包括柵氧化層(3)、柵電極(4)與場氧化層(5)；在所述摻雜層之上形成位于柵極區兩側的側壁氧化層(7)；在所述摻雜層之上形成位于柵極區兩側的源極區，源極區包括溝道區(6)、陽極(8)與源電極(9)；其特征是：陽極(8)與漂移區(2)形成肖特基接觸，其中陽極(8)與源電極(9)短接。

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