[發(fā)明專利]固體攝像器件、固體攝像器件制造方法以及電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010553219.6
• 申請日: 2010-11-22
• 公開（公告）號: CN102082156A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 寄門雄飛;宮澤信二;柳田剛志
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像器件，其包括：

半導(dǎo)體層；

絕緣材料，它處于穿透所述半導(dǎo)體層的開口中；以及

保護膜，它具有耐蝕刻性，并覆蓋著所述絕緣材料的位于所述半導(dǎo)體層內(nèi)側(cè)的一端部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中所述半導(dǎo)體層設(shè)有像素區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像器件，其中：

所述開口位于所述半導(dǎo)體層的對準(zhǔn)區(qū)域中，并且

所述半導(dǎo)體層設(shè)有位于所述對準(zhǔn)區(qū)域與所述像素區(qū)域之間的元件隔離區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其中所述保護膜位于所述半導(dǎo)體層內(nèi)的在所述開口的所述端部處的凹槽中。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，還包括：

在所述元件隔離區(qū)域中的雜質(zhì)擴散層；以及

形成于所述擴散層上的絕緣膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像器件，還包括：

承載于所述半導(dǎo)體層上的多層布線層；

在所述半導(dǎo)體層的所述像素區(qū)域之外位于所述多層布線層內(nèi)的電極焊盤；以及

穿過所述半導(dǎo)體層和所述多層布線層并使所述電極焊盤露出的電極焊盤開口。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，還包括：在所述像素區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層中的多個光電二極管。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固體攝像器件，還包括位于所述像素區(qū)域內(nèi)的每個所述光電二極管上方的片上透鏡。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像器件，還包括：每個所述片上透鏡與每個所述光電二極管之間的濾色器。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像器件，其中所述絕緣材料和所述保護膜由相同的材料制成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中所述絕緣材料含有氮化硅。

12.一種固體攝像器件制造方法，其包括如下步驟：

形成穿透半導(dǎo)體層的開口；

用絕緣材料填充所述開口；并且

在所述開口的位于所述半導(dǎo)體層內(nèi)側(cè)的一端部處，形成具有耐蝕刻性的保護膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述半導(dǎo)體層設(shè)有像素區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中：

所述開口形成在所述半導(dǎo)體層的對準(zhǔn)區(qū)域中，并且

所述半導(dǎo)體層設(shè)有位于所述對準(zhǔn)區(qū)域與所述像素區(qū)域之間的元件隔離區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括如下步驟：

在形成所述保護膜的步驟之前，在所述半導(dǎo)體層中形成凹槽，所述凹槽處于所述開口的位于所述半導(dǎo)體層內(nèi)側(cè)的所述端部處，

其中，形成所述保護膜的步驟包括：在所述凹槽中形成絕緣膜。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括如下步驟：

在所述元件隔離區(qū)域內(nèi)形成雜質(zhì)擴散層；并且

在所述擴散層上形成絕緣膜。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括如下步驟：

在所述半導(dǎo)體層上形成多層布線層；

在所述半導(dǎo)體層的所述像素區(qū)域之外在所述多層布線層中形成電極焊盤；并且

在所述半導(dǎo)體層中形成使所述電極焊盤露出的電極焊盤開口。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括如下步驟：在所述像素區(qū)域內(nèi)的所述半導(dǎo)體層中形成多個光電二極管。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括如下步驟：在所述像素區(qū)域內(nèi)的每個所述光電二極管上方形成片上透鏡。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括如下步驟：在每個所述片上透鏡與每個所述光電二極管之間形成濾色器。

21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述絕緣材料和所述保護膜由相同的材料制成。

22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述絕緣材料上形成所述保護膜，以使所述絕緣材料在蝕刻后保持原樣。