[發明專利]轉印膜結構

無效

• 申請號: 201010553124.4
• 申請日: 2010-11-22
• 公開（公告）號: CN102059871A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 曾水泉
• 申請（專利權）人: 琨詰電子（昆山）有限公司
• 主分類號: B41M5/00
• 分類號: B41M5/00;B32B27/06;B44C5/04
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;王壽剛

1.轉印膜結構，其特征在于包括一基底薄膜層；一離型層，設置于該基底薄膜層的上表面；一第一硬化膜層，設置于該離型層的上表面；一飾絞層，設置于該第一硬化膜層的上表面；一第二硬化膜層，設置于該飾紋層的上表面；以及一黏著膜層，設置于該第二硬化膜層的上表面。

2.根據權利要求1所述的轉印膜結構，其特征在于該飾紋層包括一油墨層，該油墨層設置于該第一硬化膜層的上表面。

3.根據權利要求1所述的轉印膜結構，其特征在于該飾紋層包括一油墨層以及一金屬薄膜層，該油墨層設置于該第一硬化膜層的上表面，該金屬薄膜層設置于該油墨層的上表面。

4.根據權利要求l所述的轉印膜結構，其特征在于該第一硬化膜層以及該第二硬化膜層的厚度為3微米至60微米。

5.根據權利要求l所述的轉印膜結構，其特征在于該第一硬化膜層以及該第二硬化膜層的材料為聚胺酯系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂、聚醚系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚醋酸纖維素系樹脂、聚苯乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯系樹脂、聚亞胺系樹脂、聚二醚酮系樹脂、聚醚砜系樹脂、聚砜系樹脂、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、丙烯氰酯系樹脂以及異氰酸酯中的一種。

6.根據權利要求1所述的轉印膜結構，其特征在于該基底薄膜層為高分子聚合物基材、金屬薄膜基材以及纖維系薄膜中的一種。

7.根據權利要求6所述的轉印膜結構，其特征在于該高分子聚合物的材料為聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酯系樹脂、聚丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂中的一種。

8.根據權利要求6所述的轉印膜結構，其特征在于該纖維素系薄膜為一玻璃紙或一涂布紙或一賽珞凡或為玻璃紙、涂布紙及賽珞凡組成的一種薄膜。