[發明專利]一種壓電晶片本征頻率的測量方法

無效

• 申請號: 201010552783.6
• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號: CN102095490A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 曹靜;蔡桂喜;張恩勇;周慶祥;沙勇;董瑞琪;劉芳;張雙楠;劉暢
• 申請（專利權）人: 中國海洋石油總公司;中海石油研究中心;中國科學院金屬研究所
• 主分類號: G01H11/08
• 分類號: G01H11/08
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐寧;關暢

1.一種壓電晶片本征頻率的測量方法，其包括以下步驟：

1)設置一測量裝置，其包括一函數發生器，所述函數發生器的輸出端連接壓電晶片的兩電極，所述壓電晶片的兩電極上還并聯連接一數字示波器；

2)開啟函數發生器，使其產生一定周期數的Tone-Burst正弦波信號，調節函數發生器以頻率f對壓電晶片進行電脈沖激勵，使壓電晶片產生振動；當函數發生器完成周期數時，對壓電晶片的電脈沖激勵停止，壓電晶片開始自由振動，通過數字示波器采集壓電晶片兩電極之間的自由振動信號；

3)調節數字示波器，將步驟2)中壓電晶片兩電極之間的自由振動信號放大，并對該放大信號進行快速傅立葉變換分析；

4)取步驟3)中傅立葉變換分析得到的頻譜圖上的峰值的頻率，則為該被測壓電晶片的本征頻率；

5)調節改變步驟2)中函數發生器的頻率f，重復步驟3)和步驟4)，可測得壓電晶片的各個本征頻率。

2.如權利要求1所述的一種壓電晶片本征頻率的測量方法，其特征在于：所述步驟2)中，函數發生器產生Tone-Burst正弦波信號的周期數為1～100個。