[發(fā)明專利]薄膜厚度的監(jiān)控方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010551355.1 | 申請日： | 2010-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN102466467A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 何永根;史運澤 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G01B11/06 | 分類號： | G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 厚度 監(jiān)控 方法 | ||
1.一種薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，包含：
提供襯底、參考薄膜和參考熱波信號；
在所述襯底表面形成薄膜；
對所述薄膜進行摻雜；
對摻雜后的薄膜進行熱波測量，得到熱波信號；
對比所得到的熱波信號與參考熱波信號，如果所得到的熱波信號與所述參考熱波信號的差的絕對值小于所述參考熱波信號的百分之一，則所得到的薄膜的厚度與參考薄膜厚度相同。
2.依據權利要求1的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，對薄膜摻雜后，對摻雜薄膜進行退火處理。
3.依據權利要求1或2的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述薄膜的材料是硅化鍺。
4.依據權利要求3的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述摻雜采用的是離子注入法。
5.依據權利要求4的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述摻雜的離子是n型離子或者p型離子。
6.依據權利要求5的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述摻雜的離子是硼離子、氟化硼離子、磷離子、或者砷離子。
7.依據權利要求5或6的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述摻雜的注入能量的范圍是500eV～20keV。
8.依據權利要求7的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述摻雜的注入的劑量為1E14～5E15原子/平方厘米。
9.依據權利要求2的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述退火處理采用的是最高溫度值是950～1100℃的尖峰式退火。
10.依據權利要求2的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述退火處理采用的是最高溫度值是1100～1300℃的激光退火。
11.依據權利要求1的薄膜厚度的監(jiān)控方法，其特征在于，所述熱波測量采用的泵浦光的波長是633nm。
12.依據權利要求1的摻雜薄膜的厚度的測量方法，其特征在于，所述熱波測量采用的探測光的波長是488nm。
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