[發(fā)明專利]熱處理腔、溫度測(cè)量裝置與方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010549911.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN102263044A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡俊雄;吳啟明;余德偉;詹前泰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種溫度測(cè)量裝置，適用于非接觸性測(cè)量一待測(cè)元件的溫度，包括：

一輻射源，發(fā)射一入射輻射至上述待測(cè)元件以在一既定時(shí)間加熱上述待測(cè)元件至一既定溫度范圍，上述入射輻射具有一第一既定輻射范圍；

一輻射檢測(cè)器，當(dāng)上述待測(cè)元件被加熱的時(shí)候接收來(lái)自上述待測(cè)元件的反射輻射，其中上述輻射檢測(cè)器用以檢測(cè)一第二既定輻射范圍；以及

一處理器，耦接于上述輻射檢測(cè)器，根據(jù)上述第二既定輻射范圍，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于上述待測(cè)元件的一校準(zhǔn)溫度信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的溫度測(cè)量裝置，其中上述待測(cè)元件包括至少一半導(dǎo)體晶片或一半導(dǎo)體裸片，而上述輻射源是一鎢絲鹵素?zé)艏訜嵩础?/p>

3.如權(quán)利要求1所述的溫度測(cè)量裝置，其中上述第一既定輻射范圍介于約0.35μm和3μm之間，上述第二既定輻射范圍介于約3μm和6μm之間，上述輻射檢測(cè)器具有二維陣列的一紅外線感測(cè)器，上述既定溫度范圍介于約650℃到1010℃，而上述既定時(shí)間范圍介于約0.5秒到4秒。

4.一種熱處理腔，適用于在一快速反應(yīng)時(shí)間內(nèi)測(cè)量一晶片的一裸片間溫度，包括：

一輻射源，發(fā)射一入射輻射至一晶片以在一既定時(shí)間加熱上述晶片至一既定溫度范圍，上述入射輻射具有一第一既定輻射范圍；

一輻射檢測(cè)器，當(dāng)上述晶片被加熱的時(shí)候接收來(lái)自一裸片區(qū)的反射輻射，其中上述輻射檢測(cè)器用以檢測(cè)一第二既定輻射范圍；以及

一處理器，耦接于上述輻射檢測(cè)器，根據(jù)上述第二既定輻射范圍，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于上述裸片區(qū)的一校準(zhǔn)溫度信號(hào)。

5.如權(quán)利要求4所述的熱處理腔，其中上述熱處理腔是一快速熱處理腔，而上述輻射檢測(cè)器位于上述快速熱處理腔的一觀察視窗之外。

6.如權(quán)利要求4所述的熱處理腔，其中上述紅外線檢測(cè)器是一二維陣列的紅外線感測(cè)器，上述輻射源是一鎢絲鹵素?zé)艏訜嵩础?/p>

7.如權(quán)利要求4所述的熱處理腔，還包括一透射板，設(shè)置于上述輻射源前方，用以選擇性的通過(guò)上述入射輻射。

8.如權(quán)利要求4所述的熱處理腔，其中上述第一既定輻射范圍介于約0.35μm和3μm之間，上述第二既定輻射范圍介于約3μm和6μm之間，上述既定溫度范圍介于約650℃到1010℃，而上述既定時(shí)間范圍介于約0.5秒到4秒。

9.一種溫度測(cè)量方法，適用于在一快速反應(yīng)時(shí)間內(nèi)測(cè)量一晶片的一裸片間溫度，包括：

提供一晶片置于一熱處理腔中；

輻射照射上述晶片以在一既定時(shí)間加熱上述晶片至一既定溫度范圍，上述輻射照射范圍在一第一既定輻射范圍之中；

當(dāng)上述晶片被加熱時(shí)接收來(lái)自一裸片區(qū)的反射輻射，并檢測(cè)具有一第二既定輻射范圍的反射輻射；以及

經(jīng)由一處理器根據(jù)接收上述具有第二既定輻射范圍的上述反射輻射，決定上述裸片區(qū)的一溫度。

10.如權(quán)利要求9所述的溫度測(cè)量方法，其中上述第一既定輻射范圍介于約0.35μm和3μm之間，上述第二既定輻射范圍介于約3μm和6μm之間，而上述既定溫度范圍介于約650℃到1010℃，而上述既定時(shí)間范圍介于約0.5秒到4秒。