[發(fā)明專利]參考電壓產(chǎn)生電路以及接收電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010548652.0
• 申請日: 2010-11-12
• 公開（公告）號: CN102081422A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 后藤卓史;大原智光
• 申請（專利權(quán)）人: 三美電機(jī)株式會社
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26;H04B1/16
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜

1.一種參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，

具備恒流電路，該恒流電路具有：

在電源電壓端子和恒定電位點(diǎn)之間以串聯(lián)形態(tài)連接的第一電阻元件以及雙極性晶體管；

將柵極端子與所述第一電阻元件和所述雙極性晶體管的連接節(jié)點(diǎn)連接的第一MOS晶體管；

在所述第一MOS晶體管的源極端子和恒定電位點(diǎn)之間以串聯(lián)形態(tài)連接的第二電阻元件；

在所述第一MOS晶體管的漏極端子和電源電壓端子之間連接的第二MOS晶體管；以及

與所述第二MOS晶體管進(jìn)行了電流鏡連接的第三MOS晶體管，

通過把由該恒流電路生成的恒定電流或者與其成比例的電流變換成電壓，來產(chǎn)生參考電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，

在所述雙極性晶體管的發(fā)射極端子和恒定電位點(diǎn)之間連接了第三電阻元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，

所述雙極性晶體管，具有：

與通過CMOS工藝形成的N溝道MOS晶體管的源極、漏極區(qū)域在同一工序中形成的集電極區(qū)域以及發(fā)射極區(qū)域；以及

與通過CMOS工藝形成的P溝道MOS晶體管的源極、漏極區(qū)域在同一工序中形成的基極區(qū)域，

所述雙極性晶體管具有在所述集電極區(qū)域和所述發(fā)射極區(qū)域之間配置了所述基極區(qū)域的構(gòu)造。

4.一種接收電路，其特征在于，

具備：

放大被AMI編碼后的一對輸入信號的差動放大電路；

比較所述差動放大電路的輸出和預(yù)定的參考電壓，判別所述輸入信號的邏輯電平的接收數(shù)據(jù)判定電路；以及

產(chǎn)生所述參考電壓的參考電壓產(chǎn)生電路，

所述參考電壓產(chǎn)生電路具備恒流電路，該恒流電路具有：

在電源電壓端子和恒定電位點(diǎn)之間以串聯(lián)形態(tài)連接的第一電阻元件以及雙極性晶體管；

將柵極端子與所述第一電阻元件和所述雙極性晶體管的連接節(jié)點(diǎn)連接的第一MOS晶體管；

在所述第一MOS晶體管的源極端子和恒定電位點(diǎn)之間以串聯(lián)形態(tài)連接的第二電阻元件；

在所述第一MOS晶體管的漏極端子和電源電壓端子之間連接的第二MOS晶體管；以及

與所述第二MOS晶體管進(jìn)行了電流鏡連接的第三MOS晶體管，

通過把由該恒流電路生成的恒定電流或者與其成比例的電流變換成電壓，來產(chǎn)生以所述電源電壓端子的電源電壓為基準(zhǔn)的參考電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接收電路，其特征在于，

所述恒流電路具備在所述雙極性晶體管的發(fā)射極端子和恒定電位點(diǎn)之間連接的第三電阻元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的接收電路，其特征在于，

所述雙極性晶體管，具有：

與通過CMOS工藝形成的N溝道MOS晶體管的源極、漏極區(qū)域在同一工序中形成的集電極區(qū)域以及發(fā)射極區(qū)域；以及

與通過CMOS工藝形成的P溝道MOS晶體管的源極、漏極區(qū)域在同一工序中形成的基極區(qū)域，

所述雙極性晶體管具有在所述集電極區(qū)域和所述發(fā)射極區(qū)域之間配置了所述基極區(qū)域的構(gòu)造。