[發明專利]發光二極管元件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010548564.0
• 申請日: 2010-11-12
• 公開（公告）號: CN102468394A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 余國輝;朱長信
• 申請（專利權）人: 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種發光二極管元件，包含：

基板；以及

外延層，設置于該基板的表面上，該外延層包含第一電性半導體層、發光層及第二電性半導體層，且該第一電性半導體層位于該發光層與該基板之間；

其中，該發光二極管元件的側壁具有內凹部位于該第一電性半導體層、或該第一電性半導體層與該基板之間、或該基板，且該內凹部的至少部分設置有反射層。

2.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中該反射層設置于該基板的該表面上、或該側壁上。

3.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中該反射層為絕緣反射層。

4.如權利要求1所述的發光二極管元件，還包含：

第一電極，設置于該第一電性半導體層上；以及

第二電極，設置于該第二電性半導體層上，其中該內凹部在垂直方向上，不與該第一電極或該第二電極重疊。

5.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中該內凹部的高度不大于該第一電性半導體層的高度的一半。

6.如權利要求1所述的發光二極管元件，其中該內凹部具有平面或弧面。

7.一種發光二極管元件的制造方法，包含：

于基板的表面上形成外延層，該外延層包含第一電性半導體層、發光層及第二電性半導體層，且該第一電性半導體層位于該發光層與該基板之間；

于該基板與該外延層的側壁形成內凹部，該內凹部位于該第一電性半導體層、或該第一電性半導體層與該基板之間、或該基板；以及

于該內凹部形成反射層。

8.如權利要求7所述的發光二極管元件的制造方法，其中該反射層形成于該基板的該表面上、該基板與該外延層的該側壁上。

9.如權利要求7所述的發光二極管元件的制造方法，其中該反射層是通過原子層沉積或原子氣相沉積而形成。

10.如權利要求7所述的發光二極管元件的制造方法，其中所形成的該內凹部的高度不大于該第一電性半導體層的一半。

11.如權利要求7所述的發光二極管元件的制造方法，還包含：

形成于第一電極位于該第一電性半導體層上；以及

形成于第二電極位于該第二電性半導體層上，并使該內凹部在垂直方向上，不與該第一電極或該第二電極重疊。