[發明專利]一種用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法有效
| 申請號： | 201010546604.8 | 申請日： | 2010-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN101979707A | 公開（公告）日： | 2011-02-23 |
| 發明（設計）人： | 夏洋;饒志鵬;劉鍵 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;中國科學院嘉興微電子儀器與設備工程中心 |
| 主分類號： | C23C16/26 | 分類號： | C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人： | 王建國 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 原子 沉積 制備 石墨 薄膜 碳化 吸附 方法 | ||
1.一種用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：通過形成一種含有碳原子且碳原子具有未成鍵電子的物質，與襯底表面原子形成共價鍵，實現穩定的化學吸附。
2.如權利要求1所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述含有碳原子的物質為碳中間體，所述碳中間體包括碳自由基中間體和碳雙自由基中間體。
3.如權利要求2所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述碳自由基中間體是通過烴基鹵化汞或n鹵烷烴進行熱分解或光分解得到的。
4.如權利要求3所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述烴基鹵化汞為甲基碘化汞。
5.如權利要求3所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述n鹵烷烴為一碘甲烷。
6.如權利要求2所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述碳雙自由基中間體為卡賓物質，包括碳烯及其衍生物。
7.如權利要求6所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述碳雙自由基中間體是由重氮鹽或烯酮進行熱分解或光分解得到的。
8.如權利要求7所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述重氮鹽為重氮甲烷，所述烯酮為乙烯酮。
9.如權利要求1所述的用于原子層沉積制備石墨烯薄膜的碳化學吸附方法，其特征在于：所述未成鍵電子有1-4個。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
