[發(fā)明專利]產(chǎn)生參考電壓的電路及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010546053.5 | 申請日： | 2010-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102129266A | 公開（公告）日： | 2011-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·G·梅茨格;A·M·阿茲扎德;A·利亞林;P·P·特蘭 | 申請（專利權(quán)）人： | 天工方案公司 |
| 主分類號： | G05F3/26 | 分類號： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 劉瑜;王英 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 產(chǎn)生 參考 電壓 電路 方法 | ||
1.一種用于產(chǎn)生參考電壓的電路，包括：
被配置為接收參考系統(tǒng)電壓的第一晶體管，所述第一晶體管被配置為電流源，所述第一晶體管被配置為提供獨立于所述系統(tǒng)電壓的電流；
被配置為接收由所述第一晶體管提供的所述電流的多個二極管器件；以及
與所述多個二極管器件相關(guān)聯(lián)的第二晶體管，所述第二晶體管被配置為補償所述第一晶體管中的過程變化，使得所述多個二極管器件提供至少部分地補償了所述過程變化的參考電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其中所述第二晶體管以與所述參考電壓中的變化的方向相反的方向修改所述參考電壓，所述參考電壓中的變化是由于所述過程變化而產(chǎn)生的所述第一晶體管中的電流變化而導(dǎo)致的。
3.如權(quán)利要求2所述的電路，還包括：
被配置為接收所述參考電壓的偏置電路，所述偏置電路包括β助手晶體管，其中所述第二晶體管被配置為補償所述β助手晶體管中的過程變化。
4.如權(quán)利要求2所述的電路，還包括：
被配置為接收所述參考電壓的偏置電路，所述偏置電路包括隔離晶體管；以及
與所述多個二極管器件相關(guān)聯(lián)的第三晶體管，所述第三晶體管被配置為補償所述隔離晶體管中的過程變化。
5.如權(quán)利要求2所述的電路，其中所述第二晶體管通過修改跨過所述多個二極管器件的電壓來補償所述第一晶體管器件中的過程變化。
6.如權(quán)利要求2所述的電路，其中所述多個二極管器件中的至少一個是晶體管。
7.一種具有用于產(chǎn)生參考電壓的電路的便攜式收發(fā)機，包括：
與接收機可操作地耦合的發(fā)射機；
功率放大器單元，包括：
被配置為接收參考系統(tǒng)電壓的第一晶體管，所述第一晶體管被配置為電流源，所述第一晶體管被配置為提供獨立于所述系統(tǒng)電壓的電流；
被配置為接收由所述第一晶體管提供的所述電流的多個二極管器件；以及
與所述多個二極管器件相關(guān)聯(lián)的第二晶體管，所述第二晶體管被配置為補償所述第一晶體管中的過程變化，使得所述多個二極管器件提供至少部分地補償了所述過程變化的參考電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的收發(fā)機，其中所述第二晶體管以與所述參考電壓中的變化的方向相反的方向修改所述參考電壓，所述參考電壓中的變化是由于所述過程變化而產(chǎn)生的所述第一晶體管中的電流變化而導(dǎo)致的。
9.如權(quán)利要求8所述的收發(fā)機，還包括：
被配置為接收所述參考電壓的偏置電路，所述偏置電路包括β助手晶體管，其中所述第二晶體管被配置為補償所述β助手晶體管中的過程變化。
10.如權(quán)利要求8所述的收發(fā)機，還包括：
被配置為接收所述參考電壓的偏置電路，所述偏置電路包括隔離晶體管；以及
與所述多個二極管器件相關(guān)聯(lián)的第三晶體管，所述第三晶體管被配置為補償所述隔離晶體管中的過程變化。
11.如權(quán)利要求8所述的收發(fā)機，其中所述第二晶體管通過修改跨過所述多個二極管器件的電壓來補償所述第一晶體管中的過程變化。
12.如權(quán)利要求8所述的收發(fā)機，其中所述多個二極管器件中的至少一個是晶體管。
13.一種產(chǎn)生參考電壓的方法，包括：
向被配置為電流源的第一晶體管提供參考系統(tǒng)電壓，所述第一晶體管被配置為提供電流；
將所述電流提供給多個二極管器件；以及
使用與所述多個二極管器件相關(guān)聯(lián)的第二晶體管來補償所述第一晶體管中的過程變化，使得所述多個二極管器件提供至少部分地補償了所述過程變化的參考電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括：
以與所述參考電壓中的變化的方向相反的方向修改所述參考電壓，所述參考電壓中的變化是由于所述過程變化而產(chǎn)生的所述第一晶體管中的電流變化而導(dǎo)致的。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括：
向偏置電路提供所述參考電壓，所述偏置電路包括β助手晶體管；以及
使用所述第二晶體管補償所述β助手晶體管中的過程變化。
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