[發(fā)明專利]基板的制作方法及半導體芯片的封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010546040.8
• 申請日: 2010-11-15
• 公開（公告）號: CN102468186A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳小龍;吳梅珠;劉秋華;徐杰棟;劉曉陽;胡廣群;毛少昊;邵鳴達
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫江南計算技術(shù)研究所
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;C25D3/38;C25D5/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上形成有籽晶層；

在所述籽晶層上形成第一絕緣掩膜層，所述第一絕緣掩膜層內(nèi)形成有多個第一開口，所述第一開口露出籽晶層；

在所述第一開口內(nèi)形成基板焊盤；

在所述基板焊盤和第一絕緣掩膜層上形成第二絕緣掩膜層，所述第二絕緣掩膜層內(nèi)形成有多個第二開口，所述第二開口的位置與基板焊盤的位置對應；

進行電鍍沉積工藝，在所述第二開口內(nèi)形成導電凸塊；

去除所述第一掩膜絕緣層和第二掩膜絕緣層；

去除未被所述基板焊盤覆蓋的籽晶層；

形成覆蓋所述基板焊盤、剩余的籽晶層的絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層與所述導電凸塊齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，在形成所述導電凸塊后，還包括：化學機械研磨步驟，使得所述導電凸塊和基板的表面齊平。

3.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述籽晶層的材質(zhì)為銅，所述導電凸塊的材質(zhì)為銅。

4.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣掩膜層和第二絕緣掩膜層的材質(zhì)為光敏材質(zhì)或高分子聚合物。

5.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述籽晶層利用濺射工藝、化學氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝形成。

6.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述所述第二開口的寬度小于等于所述第一開口的寬度。

7.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述去除未被所述基板焊盤覆蓋的籽晶層的方法為濕法刻蝕的方法。

8.如權(quán)利要求7所述的基板的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的速率為0.6～2.0微米/分鐘。

9.如權(quán)利要求7所述的基板的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的溶液為雙氧水、硫酸和水的混合溶液，雙氧水的濃度為10～30g/L，硫酸的濃度為25～75g/L。

10.如權(quán)利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層利用絲網(wǎng)印刷工藝、旋涂、噴涂或貼附工藝制作。

11.如權(quán)利要求10所述的基板的制作方法，其特征在于，所述絲網(wǎng)印刷工藝包括：

粗化所述基板、基板焊盤、導電凸塊；

在所述基板上絲網(wǎng)印刷絕緣介質(zhì)層；

對所述絕緣介質(zhì)層進行預烘烤；

預固化所述預烘烤后的絕緣介質(zhì)層；

平坦化所述預固化后的絕緣介質(zhì)層；

后固化平坦化后的絕緣介質(zhì)層。

12.如權(quán)利要求11所述的基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化的方法為化學機械研磨的方法。

13.一種半導體芯片的封裝方法，其特征在于，包括：

提供基板和待封裝芯片，所述芯片上形成有芯片焊墊；

在所述基板上形成籽晶層；

在所述籽晶層上形成第一絕緣掩膜層，所述第一絕緣掩膜層內(nèi)形成有第一開口，所述第一開口露出下方的籽晶層，所述開口與所述芯片焊墊位置對應；

在所述第一開口形成基板焊盤；

在所述基板焊盤和第一絕緣掩膜層上形成第二絕緣掩膜層，所述第二絕緣掩膜層內(nèi)形成有第二開口，所述第二開口與第一開口的位置對應；

進行電鍍沉積工藝，在所述第二開口內(nèi)形成導電凸塊；

去除所述第一掩膜絕緣層和第二掩膜絕緣層；

去除未被所述基板焊盤覆蓋的籽晶層；

形成覆蓋所述基板焊盤、導電凸塊、剩余的籽晶層的絕緣介質(zhì)層；

利用金屬焊料將所述芯片的基板焊盤與所述基板上的導電凸塊焊接。

14.如權(quán)利要求13所述的半導體芯片的封裝方法，其特征在于，在形成所述導電凸塊后，還包括：化學機械研磨步驟，使得所述導電凸塊和基板的表面齊平。

15.如權(quán)利要求13所述的半導體芯片的封裝方法，其特征在于，所述籽晶層的材質(zhì)為銅，所述導電凸塊的材質(zhì)為銅。