[發(fā)明專利]晶體管陣列基板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010545691.5 | 申請(qǐng)日: | 2010-11-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102096257A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳紀(jì)良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
| 地址: | 215217 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 陣列 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種應(yīng)用于顯示器的主動(dòng)組件陣列基板(active?array?substrate),且特別是有關(guān)于一種晶體管陣列基板。
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背景技術(shù)
現(xiàn)今的液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,?LCD)多半使用多個(gè)半導(dǎo)體晶體管(semiconductor?transistor)來(lái)顯示影像。一般而言,液晶顯示器具有多個(gè)液晶電容(liquid?crystal?capacity),而這些液晶電容通常是由多個(gè)像素電極(pixel?electrode)、液晶層與彩色濾光基板(color?filter?substrate)所形成。這些半導(dǎo)體晶體管能輸入電流至這些液晶電容,以對(duì)液晶電容進(jìn)行充電。如此,液晶層內(nèi)的液晶分子得以轉(zhuǎn)動(dòng),促使液晶顯示器顯示影像。
承上述,半導(dǎo)體晶體管輸入至液晶電容的電流以及半導(dǎo)體晶體管的電子遷移率(electron?mobility)二者基本上是呈正比,而電子遷移率會(huì)受到溫度的影響而改變。當(dāng)半導(dǎo)體晶體管處于溫度偏高的環(huán)境時(shí),電子遷移率會(huì)增加,而輸入至液晶電容的電流也會(huì)增加。當(dāng)半導(dǎo)體晶體管處于溫度偏低的環(huán)境時(shí),電子遷移率會(huì)降低,而輸入至液晶電容的電流也會(huì)降低。
????因此,當(dāng)液晶顯示器處于溫度偏低的環(huán)境時(shí),液晶電容從半導(dǎo)體晶體管所接收到的電流會(huì)減少,以至于容易發(fā)生液晶電容充電不足的情形。一旦發(fā)生液晶電容充電不足的情形,則液晶顯示器不能顯示正確的灰階顏色,導(dǎo)致液晶顯示器所顯示的影像發(fā)生色彩失真的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶體管陣列基板,以減少液晶顯示器處于溫度偏低的環(huán)境時(shí),液晶電容發(fā)生充電不足的情形。
本發(fā)明提供一種晶體管陣列基板,包括一基板、一像素陣列(pixel?array)、多個(gè)電阻與多個(gè)半導(dǎo)體晶體管。像素陣列、這些電阻與這些半導(dǎo)體晶體管皆配置在基板上。像素陣列包括多條掃描線(scan?line)。各個(gè)電阻電性連接其中一掃描線,而各個(gè)半導(dǎo)體晶體管電性連接其中一掃描線與其中一電阻。這些掃描線能一第一電壓與一第二電壓。第二電壓大于第一電壓。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述像素陣列還包括多條數(shù)據(jù)線(data?line)以及多個(gè)像素單元(pixel?unit)。這些數(shù)據(jù)線與這些掃描線彼此交錯(cuò),而這些像素單元電性連接這些掃描線與這些數(shù)據(jù)線。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述晶體管陣列基板還包括一第一配線以及一第二配線。第一配線配置在基板上,并電性連接這些半導(dǎo)體晶體管,其中第一配線能傳輸?shù)谝浑妷褐吝@些半導(dǎo)體晶體管。第二配線配置在基板上,并電性連接這些電阻,其中第二配線能傳輸?shù)?!-- SIPO
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述第一配線與第二配線彼此并列,并且皆與這些數(shù)據(jù)線并列。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,各個(gè)半導(dǎo)體晶體管為場(chǎng)效晶體管(field-effect?transistor),并且包括一柵極(gate)、一源極(source)以及一漏極(drain)。柵極用于接收一脈沖信號(hào)(pulse?signal)。源極電性連接第一配線。漏極電性連接電阻與掃描線。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,各個(gè)像素單元包括一像素晶體管(pixel?transistor)以及一像素電極。像素晶體管電性連接其中一掃描線與其中一數(shù)據(jù)線,而像素電極電性連接像素晶體管。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,這些像素晶體管與這些半導(dǎo)體晶體管皆為薄膜晶體管(Thin-film?Transistor,?TFT)。
藉由這些半導(dǎo)體晶體管與電阻,以及半導(dǎo)體晶體管隨溫度而改變的電子遷移率,在液晶顯示器處于溫度偏低的環(huán)境時(shí),本發(fā)明能提高像素晶體管對(duì)液晶電容的充電能力,進(jìn)而減少液晶電容發(fā)生充電不足的情形。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1A是本發(fā)明一實(shí)施例的晶體管陣列基板的電路示意圖。
圖1B是圖1A中區(qū)域A內(nèi)的脈沖信號(hào)與掃描線所傳輸?shù)碾妷旱臅r(shí)序示意圖。
圖1C是圖1A中區(qū)域A內(nèi)的等效電路示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1A是本發(fā)明一實(shí)施例的晶體管陣列基板的電路示意圖。請(qǐng)參閱圖1A,晶體管陣列基板100可以應(yīng)用于液晶顯示器,并且包括一基板110、一像素陣列120、多個(gè)電阻130與多個(gè)半導(dǎo)體晶體管140。像素陣列120、這些電阻130與這些半導(dǎo)體晶體管140皆配置在基板110上,且這些半導(dǎo)體晶體管140與電阻130皆電性連接像素陣列120。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
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G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





