[發明專利]一種二硼化鎂超導帶材的制作方法

無效

• 申請號: 201010545549.0
• 申請日: 2010-11-16
• 公開（公告）號: CN102034575A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 潘熙鋒;趙勇
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B12/06
• 代理公司: 成都博通專利事務所 51208
• 代理人: 陳樹明

1.一種二硼化鎂超導帶材的制作方法，其具體作法是：

A、涂覆硼層：采用涂覆的方法將無定形硼均勻分布在導電基片上，形成0.1～2.0mm厚的無定形硼層；

B、覆蓋鎂層：在硼層的上面覆蓋鎂或鎂合金的薄片，薄片厚度0.1～2.0mm，通過碾壓使硼層與鎂或鎂合金的薄片完全結合，形成鎂-硼-基片的結合體；

C、熱處理：將B步的結合體放入熱處理爐中，在氬氣保護氣氛下，升溫至550～800℃后，保溫0.1-3小時后冷卻，結合體中的Mg-硼即形成MgB₂超導層；

D、涂保護層：在C步處理后的結合體超導層表面上涂覆金屬、金屬合金、金屬氧化物、碳化硅或類金剛石薄膜作為保護層，形成由基片、MgB₂超導層和保護層組成的復合體；

E、切割加工：將D步的復合體切割成長帶，即得。

2.如權利要求1所述的一種二硼化鎂超導帶材的制作方法，其特征在于：所述A步中的導電基片為厚度為0.2-1mm的鐵(Fe)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鈮(Nb)、CuNi合金或NiZr合金。

3.如權利要求1所述的一種二硼化鎂超導帶材的制作方法，其特征在于：所述A步的無定形硼中還加有摻雜劑，摻雜劑和無定形硼的化學計量比為0.001～0.3；摻雜劑為納米碳化硅、蘋果酸(C₄H₆O₅)、對二甲氨基苯甲醛(C₉H₁₁NO)、甲苯(C₇H₈)、乙基苯(C₈H₁₀)、Ti、Zr或納米氧化鈥(Ho₂O₃)中的一種或一種以上的混合物。