[發(fā)明專(zhuān)利]一種選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010545411.0
• 申請(qǐng)日: 2010-11-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102082119A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李葉;孫清清;周鵬;王鵬飛;張衛(wèi)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L21/312
• 代理公司: 上海正旦專(zhuān)利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于具體步驟包括：

提供一個(gè)互連結(jié)構(gòu)的某一層布線已經(jīng)完成的集成電路襯底；

形成第一層絕緣薄膜；

形成一層刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上面吸附一層有機(jī)基團(tuán)；

掩膜、曝光、刻蝕形成通孔；

形成一層擴(kuò)散阻擋層；

形成一層鎢薄膜；

去除所述的有機(jī)基團(tuán)；

所述鎢薄膜平坦化。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于，所述的第一層絕緣薄膜為磷硅玻璃或硼磷硅玻璃低介電常數(shù)的絕緣材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于，所述的刻蝕阻擋層為氮化硅、硅碳氮或者氮化硼。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于，所述的有機(jī)基團(tuán)為十八烷基三氯硅烷或者聚甲基丙烯酸甲酯。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于，所述的擴(kuò)散阻擋層為T(mén)a/TaN復(fù)合層或者為T(mén)i/TiN復(fù)合層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于，所述的擴(kuò)散阻擋層為T(mén)a/TaN復(fù)合層或者為T(mén)i/TiN復(fù)合層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或6所述的選擇性淀積鎢接觸孔或通孔的方法，其特征在于，形成所述鎢薄膜時(shí)，首先采用原子層淀積方法淀積鎢的成核層，然后采用原子層淀積或者化學(xué)氣相沉積方法淀積鎢的主體部分。