[發(fā)明專利]一種白光OLED及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010544287.6
• 申請日: 2010-11-15
• 公開（公告）號: CN102468443A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 席儉飛;潘世強;張方輝;張麥麗
• 申請（專利權(quán)）人: 西安麟字半導體照明有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 商宇科

1.一種白光OLED，包括上玻璃基板、下玻璃基板，其特征在于：所述上玻璃基板和下玻璃基板之間設(shè)置有發(fā)光層，所述發(fā)光層的發(fā)光材料是藍光材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光OLED，其特征在于：所述發(fā)光層包括陽極、有機功能層、陰極和熒光粉層；所述有機功能層設(shè)置在陽極和陰極之間，所述熒光粉層設(shè)置在陽極上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的白光OLED，其特征在于：所述藍光材料設(shè)置在有機功能層內(nèi)，所述有機功能層還包括能量轉(zhuǎn)移材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的白光OLED，其特征在于：所述陽極與熒光粉層之間還設(shè)置有光層玻璃基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的白光OLED，其特征在于：所述藍光材料為9，10-di-(2-naphthyl)anthracene(ADN)；所述能量轉(zhuǎn)移材料為2，5，8，11-tetra-tertbutylperylene(TBPe)；所述陽極是ITO玻璃；所述陰極是Al。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光OLED，其特征在于：上玻璃基板和下玻璃基板之間還設(shè)置有用于密封發(fā)光層的密封件。

7.一種白光OLED制備方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

1)將陽極光刻成所需的形狀，光刻過程采用正性光刻膠，相對應的稀釋液和顯影液。

2)在超聲波環(huán)境中采用丙酮、無水乙醇清洗經(jīng)步驟1)光刻后的陽極5-10min，烘干待用；

3)將步驟2)中處理后的陽極進行等離子處理；

4)將有機功能層在10^-4Pa的真空室內(nèi)蒸鍍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光OLED制備方法，其特征在于：所述步驟1)陽極ITO光刻的具體步驟是：

1.1)將陽極表面清洗干凈并干燥；

1.2)干燥后的陽極涂上正性光刻膠，于50-150℃下烘干10-40min，使膜堅固；

1.3)將步驟1.2)的陽極冷卻后曝光0.5-10min，并將曝光好的陽極ITO玻璃?在1％-5％的NaOH顯影液中顯影，待圖像出現(xiàn)后用水沖洗、烘干；

1.4)將步驟1.3)的陽極放在刻蝕液中刻蝕，刻蝕液是濃鹽酸∶水按照質(zhì)量比3-1∶1-3配制而成，刻蝕5-30min，形成所需圖案；

1.5)刻蝕后的陽極用1％-8％的NaOH溶液去除表面的光刻膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的白光OLED制備方法，其特征在于：所述步驟3)中對陽極進行等離子處理的具體步驟是：將真空室抽真空至壓強為(1-9)×100Pa，充入高純氧氣至壓強為(1-5)×101Pa，轟擊電壓為500-1000V，轟擊陽極ITO5-30min。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的白光OLED制備方法，其特征在于：所述步驟4)中蒸鍍有機功能層的具體步驟是：依次在陽極表面蒸鍍2T-NATA、N，N′-di-[(1-naphthalenyl)-N，N′-diphenyl]-(1，1′-bi-phenyl)-4，4′-diamine(NPB)、ADN:TBPe、tris(8-quinolinolato)aluminium?complex(Alq3)、LiF、Al，并監(jiān)測蒸度速率；藍光材料和能量轉(zhuǎn)移材料采用雙源共蒸，各有機層的沉積速率是0.2nm/s，TBPe摻雜濃度通過控制蒸發(fā)速率來控制，陰極Al的沉積速率為1nm/s。?