[發(fā)明專利]液晶顯示設(shè)備的陣列基板和制造該陣列基板的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010542551.2
• 申請日: 2010-11-10
• 公開（公告）號: CN102087449A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 安成勛;林京男;金煥
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;王凱

1.一種液晶顯示設(shè)備的陣列基板，該陣列基板包括：

位于基板上的選通線；

與所述選通線相連的柵極；

位于所述選通線和所述柵極上并包括柵開口的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上并與所述柵極交疊的有源層；

位于所述有源層上的歐姆接觸層；

位于所述歐姆接觸層上的源極；

位于所述歐姆接觸層上并與所述源極隔開的漏極，其中所述漏極的一端被設(shè)置在所述柵開口中；

位于所述柵絕緣層上并與所述源極相連的數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述選通線交叉；

位于所述數(shù)據(jù)線、所述源極以及所述漏極上并包括像素開口的鈍化層，其中，所述像素開口露出所述柵開口中的所述漏極和所述柵絕緣層的一部分；以及

位于所述柵絕緣層上和所述像素開口中的像素電極，所述像素電極與所述漏極在所述柵開口中的所述一端相接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述有源層的一端被所述源極的一端覆蓋，并且所述有源層的另一端被所述漏極的所述一端覆蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極的厚度小于所述鈍化層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極的端部與所述鈍化層的端部相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述柵開口露出所述基板的頂面，使得所述柵開口中的所述漏極與所述基板的頂面和所述柵絕緣層的側(cè)表面相接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極的一部分與前一條選通線交疊，使得所述前一條選通線的交疊部分、所述像素電極的交疊部分以及位于所述前一條選通線的所述交疊部分與所述像素電極的所述交疊部分之間的所述柵絕緣層構(gòu)成了存儲電容器。

7.一種制造液晶顯示設(shè)備的陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：

在基板上形成選通線和柵極，所述柵極與所述選通線相連；

在所述選通線和所述柵極上形成柵絕緣層，在所述柵絕緣層上形成有源層，并且在所述有源層上形成摻雜非晶硅圖案，其中，所述柵絕緣層包括柵開口，并且所述有源層與所述柵極交疊；

在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線，并且在所述摻雜非晶硅圖案上形成源極和漏極，所述數(shù)據(jù)線與所述源極相連并與所述選通線交叉，所述漏極與所述源極隔開，其中，所述漏極的一端被設(shè)置在所述柵開口中；

蝕刻所述摻雜非晶硅圖案的通過所述源極和所述漏極之間的空間而露出的部分，以露出所述有源層的一部分；以及

形成鈍化層，該鈍化層被設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線、所述源極以及所述漏極上并包括像素開口，并且在所述像素開口中形成像素電極，其中，所述像素開口露出了所述柵開口中的所述漏極和所述柵絕緣層的一部分，使得所述像素電極與所述柵開口中的所述漏極相接觸并且被設(shè)置在所述柵絕緣層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述鈍化層和所述像素電極的步驟包括以下步驟：

在所述基板的包括所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的整個表面上形成鈍化層；

在所述鈍化層上與所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的一部分相對應(yīng)地形成光刻膠圖案；

使用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模對所述鈍化層的一部分進(jìn)行蝕刻，以露出所述柵絕緣層的一部分和所述漏極在所述柵開口中的所述一端；

在所述基板的包括所述光刻膠圖案的整個表面上形成透明導(dǎo)電材料層；以及

同時去除所述光刻膠圖案和所述光刻膠圖案上的所述透明導(dǎo)電材料層的一部分，以在所述柵絕緣層上形成像素電極，所述像素電極與所述漏極在所述柵開口中的所述一端相接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述鈍化層的所述一部分過蝕刻，使得所述光刻膠圖案下面的所述鈍化層具有底切形狀。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述透明導(dǎo)電材料層在所述鈍化層與所述光刻膠圖案的邊界處具有中斷部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述透明導(dǎo)電材料層的厚度小于所述鈍化層的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，有源層的一端被所述源極的一端覆蓋，并且所述有源層的另一端被所述漏極的所述一端覆蓋。