[發明專利]一種非揮發性存儲器及其制造方法

無效

• 申請號: 201010540309.1
• 申請日: 2010-11-11
• 公開（公告）號: CN102034874A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 王鵬飛;林曦;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種非揮發性存儲器，其特征在于包括：

一個半導體襯底；

在所述半導體襯底內形成的電流溝道區域；

在所述半導體襯底內所述電流溝道區域的一側形成的具有第一種摻雜類型的漏區；

在所述半導體襯底內所述電流溝道區域的非漏區側形成的具有第二種摻雜類型的源區；

在所述電流溝道區域與所述源區之間形成的用于產生電離碰撞的碰撞電離區域；

覆蓋所述電流溝道區域形成的第一層柵介質層；

在所述第一層柵介質層之上形成的作為電荷存儲節點的具有導電性的浮柵區；

覆蓋所述浮柵區形成的第二層柵介質層；

在所述第二層柵介質層之上形成的控制柵極。

2.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述的半導體襯底為單晶硅或者為絕緣體上的硅。

3.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述的第一層、第二層柵介質層材料為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者高介電常數的絕緣材料。

4.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述的浮柵區由摻雜的多晶硅、鎢、氮化鈦或者合金材料所形成。

5.根據權利要求1所述的非揮發性存儲器，其特征在于，所述的第一種摻雜類型為n型，所述的第二種摻雜類型為p型；或者所述的第一種摻雜類型為p型，所述的第二種摻雜類型為n型。

6.一種如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于具體步驟包括：

提供一個半導體襯底；

形成第一層光刻膠；

掩膜、曝光、刻蝕形成漏區需摻雜的圖形；

離子注入形成第一種摻雜類型的漏區；

剝除第一層光刻膠；

形成第一層絕緣薄膜；

形成第一層導電薄膜；

刻蝕第一層導電薄膜形成器件的浮柵；

形成第二層絕緣薄膜；

形成第二層導電薄膜；

刻蝕第二層導電薄膜形成器件的控制柵極；

形成第二層光刻膠；

掩膜、曝光、刻蝕形成源區需摻雜的圖形；

離子注入形成第二種摻雜類型的源區；

剝除第二層光刻膠；

形成第三層絕緣薄膜；

刻蝕第三層絕緣薄膜形成接觸孔；

形成金屬接觸。

7.根據權利要求6所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述的第一層、第二層絕緣薄膜材料為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者高介電常數的絕緣材料。

8.根據權利要求6所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述的第一層導電薄膜為摻雜的多晶硅、鎢、氮化鈦或者合金材料。

9.根據權利要求6所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述的第二層導電薄膜為金屬、合金，或者為摻雜的多晶硅；所述的第三層絕緣薄膜為二氧化硅或者為氮化硅。

10.根據權利要求6所述的非揮發性存儲器的制造方法，其特征在于，所述的第一種摻雜類型為n型，所述的第二種摻雜類型為p型；或者所述的第一種摻雜類型為p型，所述的第二種摻雜類型為n型。