[發(fā)明專利]負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010537152.7 | 申請(qǐng)日: | 2010-11-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102055448A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中原明宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H03K17/08 | 分類號(hào): | H03K17/08 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 負(fù)載 驅(qū)動(dòng) 裝置 | ||
通過引用并入
本申請(qǐng)基于并且要求2009年11月5日提交的日本專利申請(qǐng)No.2009-254360的優(yōu)先權(quán),其內(nèi)容在此通過引用整體并入。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置,并且更加具體地涉及包括控制到負(fù)載的電力供給的輸出晶體管的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置。
背景技術(shù)
已經(jīng)廣泛地采用用于電力供給的半導(dǎo)體作為將來自于電源的電力提供給負(fù)載的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置。在一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體被用于驅(qū)動(dòng)車輛的燈或者致動(dòng)器。
在此負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中,負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的接地端子和負(fù)載的接地端子可以被布置為彼此分離。在這樣的情況下,由于兩個(gè)端子之間的導(dǎo)體的電阻分量導(dǎo)致在負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的接地電壓和負(fù)載的接地電壓之間可以產(chǎn)生電壓差。在某些情況下,負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置可以被安裝在一個(gè)單元中。在此單元中,接地電壓通過連接器被提供給負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置。在這樣的情況下,到負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的接地電壓的提供可能由于有問題的連接器、線的斷開等等而被中斷。簡言之,負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的接地端子可能進(jìn)入斷開狀態(tài)。另外,負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的接地端子可以通過寄生裝置被提供有電壓。
當(dāng)接地端子處于斷開狀態(tài)時(shí),可能的是,盡管輸出晶體管的柵極電壓達(dá)到足夠高的電平,但是具有在負(fù)載和電源之間進(jìn)行切換的功能的輸出晶體管變成導(dǎo)通。換言之,輸出晶體管可能在輸出晶體管的源極和漏極之間的電阻值高的狀態(tài)下變成導(dǎo)通。這引起輸出晶體管可能由于過熱而損壞的問題。為此,存在當(dāng)接地端子處于斷開狀態(tài)時(shí)保持輸出晶體管處于非導(dǎo)通狀態(tài)的需求。
此外,在使用負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置用于車輛等等的情況下,當(dāng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置處于待機(jī)狀態(tài)下時(shí),存在防止出現(xiàn)微安數(shù)量級(jí)的待機(jī)電流的浪費(fèi)的消耗電流的需求。
日本未經(jīng)審查的專利申請(qǐng)公開No.2009-165113公布用于這些需求的解決方案。圖14是在日本未經(jīng)審查的專利申請(qǐng)公開No.2009-165113中公開的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置1的電路圖。如圖14中所示,負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置1包括電源10、負(fù)載11、驅(qū)動(dòng)器電路12、控制電路13、背柵控制電路15、補(bǔ)償電路16、輸出晶體管T1、電阻器R10、電源端子PWR、接地端子GND1、接地端子GND2、以及輸出端子OUT。在日本未經(jīng)審查的專利申請(qǐng)公開No.2009-165113中詳細(xì)地描述了負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的組件之間的連接,并且因此將會(huì)省略其描述。
接下來,將會(huì)描述負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置1的操作。首先,描述在正常操作中輸出晶體管T1變成導(dǎo)通的模式。在導(dǎo)通模式中,當(dāng)?shù)碗娖降目刂菩盘?hào)S2被施加給放電晶體管MN1的柵極時(shí)放電晶體管MN1變成非導(dǎo)通。此外,電源10的負(fù)極側(cè)電壓VSS(例如,0V)被提供給接地端子GND2,并且因此補(bǔ)償晶體管MN7也變成非導(dǎo)通。同時(shí),當(dāng)從驅(qū)動(dòng)器電路12輸出的高電平的控制信號(hào)S1被施加給輸出晶體管T1的柵極時(shí)輸出晶體管T1變成導(dǎo)通。因此,在導(dǎo)通模式下,輸出端子OUT的電壓值基本上等于電源10的正極側(cè)電壓VB的值。此外,在導(dǎo)通模式下,第二切換部15b的N型MOS晶體管MN5和MN6變成導(dǎo)通,并且第一切換部15a的N型MOS晶體管MN3和MN4變成非導(dǎo)通。結(jié)果,接地端子GND2的電壓被施加給補(bǔ)償晶體管MN7的背柵。這時(shí),在補(bǔ)償晶體管MN7中,被耦合到輸出端子OUT的端子用作漏極,并且被耦合到節(jié)點(diǎn)A的端子用作源極。
接下來,描述在正常操作中輸出晶體管T1變成非導(dǎo)通的非導(dǎo)通模式。在非導(dǎo)通模式下,當(dāng)高電平的控制信號(hào)S2被施加給其柵極時(shí)放電晶體管MN1變成導(dǎo)通。此外,電源10的負(fù)極側(cè)電壓VSS(例如,0V)被提供給接地端子GND2,并且因此補(bǔ)償晶體管MN7變成非導(dǎo)通。同時(shí),當(dāng)?shù)碗娖降目刂菩盘?hào)S1被施加給其柵極時(shí)輸出晶體管T1變成非導(dǎo)通。因此,在非導(dǎo)通模式下,輸出端子OUT的電壓值基本上等于負(fù)載11的接地電壓GND1的電壓值(例如,0V)。此外,在非導(dǎo)通模式下,第一切換部15a的N型MOS晶體管MN3和MN4變成非導(dǎo)通,并且第二切換部15b的N型MOS晶體管MN5和MN6也變成非導(dǎo)通。因此,通過背柵控制電路15被施加給補(bǔ)償晶體管MN7的背柵的電壓0V,其是接地端子GND2和輸出端子OUT之間的電壓差。
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