[發明專利]一種清潔晶片裝置有效
| 申請號： | 201010536700.4 | 申請日： | 2010-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN102468117A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 王銳廷;吳儀 | 申請（專利權）人： | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;B08B3/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 清潔 晶片 裝置 | ||
1.一種清潔晶片裝置，其特征在于，包括：壓電晶體振子(1)、用于安裝所述壓電晶體振子(1)的腔室(2)以及與所述壓電晶體振子(1)固定連接的換能器(5)，
所述換能器(5)表面具有若干個凸起的柱體(51)，所述柱體(51)間具有若干個微孔(52)，所述微孔(52)貫通至換能器(5)的底部。
2.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，還包括位于腔室(2)上部兩側的氣冷流體入口(3)和氣冷流體出口(4)。
3.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述換能器(5)與待清潔的半導體晶片之間留有間隙。
4.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述壓電晶體振子(1)產生頻率為700K-2MHZ的兆聲波。
5.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述微孔(52)為圓形、橢圓形、方形或菱形中任意一種形狀。
6.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述微孔(52)的直徑為毫米級，所述微孔(52)的長度是其直徑的5-10倍。
7.如權利要求6所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述若干個微孔(52)間的間距是其直徑的1-2倍。
8.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述換能器(5)的側面上具有導入清潔介質的側口(53)。
9.如權利要求1或8所述的清潔晶片裝置，其特征在于，所述換能器(5)為石英、紅寶石或具有抗酸堿腐蝕的高分子材料制作。
10.如權利要求1所述的清潔晶片裝置，其特征在于，還包括放置半導體晶片的可旋轉的支撐單元(6)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
