[發明專利]圖像感測元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201010535484.1
• 申請日: 2010-11-04
• 公開（公告）號: CN102237383A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 莊俊杰;楊敦年;杜友倫;劉人誠;周耕宇;王從建
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種圖像感測元件，包括：

一基底，具有一前側及一背側；

一光線感測元件，形成于該基底中，該光線感測元件用以檢測通過該背側進入該基底的一光波；以及

一再結晶硅層，形成于該基底的該背側上，該再結晶硅層具有與該基底的光激發熒光強度不同的光激發熒光強度。

2.如權利要求1所述的圖像感測元件，其中該再結晶硅層相較于該基底還重摻雜了至少一個數量級。

3.如權利要求1所述的圖像感測元件，其中：

該再結晶硅層的不同區域具有相應的摻雜濃度程度，所述摻雜濃度程度之間的差異在一個數量級之內；以及

隨著進入該基底的一深度增加，該基底具有逐漸減少的摻雜濃度程度，進入該基底的該深度測量自該背側。

4.一種圖像感測元件，包括：

一基底，具有：

一前表面；

一背表面，與該前表面相反；以及

互相不彼此包括的一第一部分及一第二部分，該第一部分鄰接該背表面而設置，該第一部分設置于該第二部分與該背表面之間，其中該第一部分的電阻小于該第二部分；以及

一光線感測區，設置于該基底中，該光線感測區用以感測通過該背表面而朝該光線感測區投射的一光線。

5.如權利要求4所述的圖像感測元件，其中該基底的該第一部分的光激發熒光強度不同于該基底的該第二部分的光激發熒光強度。

6.如權利要求4所述的圖像感測元件，其中該基底的該第一部分的電阻小于該光線感測區的電阻。

7.如權利要求4所述的圖像感測元件，其中：

該基底的該第一部分具有一第一范圍的摻質濃度值；

該基底的該第二部分具有一第二范圍的摻質濃度值；以及

該第一范圍中的每一摻質濃度值大于該第二范圍中的每一摻質濃度值。

8.如權利要求7所述的圖像感測元件，其中該第一范圍的摻質濃度值及該第二范圍的摻質濃度值測量于且相關于離該背表面的一相應距離；以及其中：

該基底的該第一部分的每一所述摻質濃度值均與所述相應距離無關，并且該第一部分的每一所述摻質濃度值彼此間的差異小于一個數量級之內；以及

該基底的該第二部分的每一所述摻質濃度值均與所述相應距離反向相關。

9.一種制作圖像感測元件的方法，包括：

提供一基底，具有一前側及一背側；

于該基底中形成一光線感測區，該光線感測區用于感測通過該背側朝該光線感測區投射的一光線；以及

在形成該光線感測區之后，以一種方式對該基底進行一退火工藝而使該基底靠近該背側的一部分被熔化。

10.如權利要求9所述的制作圖像感測元件的方法，還包括：

在該退火工藝之前，自該背側將一摻質注入進該基底之中，其中該注入與該退火工藝以一種方式進行而使得：

該基底被熔化的該部分為一第一部分，并具有第一范圍的摻質濃度值；

該基底的一第二部分與該第一部分互相不彼此包括，且該第二部分具有一第二范圍的摻質濃度值；以及

該第一范圍中的每一摻質濃度值大于該第二范圍中的每一摻質濃度值。