[發明專利]金屬電遷移測試設備及方法有效
| 申請號: | 201010535229.7 | 申請日: | 2010-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN102053219A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發明(設計)人: | 馮程程;周偉 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01R31/02 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201210*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 遷移 測試 設備 方法 | ||
1.一種金屬電遷移測試設備,其特征在于,包括:
芯片數量設置模塊,用于設置被測試芯片的測試數量;
狀態停止模塊,所述狀態停止模塊包括:用于設置停止條件的設置組件;以及用于針對每個被測芯片監控測試得到的電壓值是否達到停止條件、并且在達到停止條件時停止對當前被測芯片的測試的監控組件;
判斷模塊,用于判斷是否完成了所設置的測試數量的被測試芯片的測試;以及芯片移動模塊,用于在判斷模塊判斷沒有完成所設置的測試數量的被測試芯片的測試時,移動晶圓,從而使得下一個被測試芯片移動至測試位置。
2.根據權利要求1所述的金屬電遷移測試設備,其特征在于,所述金屬電遷移測試設備還包括溫度設置模塊,用于將升降溫設備的溫度值設置為多個不同溫度。
3.根據權利要求1或2所述的金屬電遷移測試設備,其特征在于,所述金屬電遷移測試設備還包括:
阻值測量模塊,用于在晶圓表面達到室溫環境后,控制半導體參數分析儀,通過自動測試,對扎在測試結構的同一壓焊點上的所有直流探針給以測試電流,從而得到室溫下的電阻值。
4.根據權利要求2所述的金屬電遷移測試設備,其特征在于,其中判斷模塊還用于判斷是否達到了溫度設置模塊所設置的溫度值;并且阻值測量模塊還被用于在溫度設置模塊所設置的所述多個不同溫度下,控制半導體參數分析儀,通過自動測試,對扎在測試結構的同一壓焊點上的所有直流探針給以測試電流,從而得到所述多個不同溫度下的電阻值。
5.根據權利要求1所述的金屬電遷移測試設備,其特征在于,所述金屬電遷移測試設備還包括:
應力電流施加模塊,用于在測試結構上施加應力電流。
6.一種金屬電遷移測試方法,其特征在于,包括:
芯片數量設置步驟,用于設置被測試芯片的測試數量;
設置停止條件的設置;
測試電壓值;
監控測試得到的電壓值是否達到停止條件的監控,并且在測試得到的電壓值達到停止條件時停止對當前被測芯片的測試;
第一判斷步驟,用于判斷是否完成了所設置的測試數量的被測試芯片的測試;
芯片移動步驟,用于在判斷模塊判斷沒有完成所設置的測試數量的被測試芯片的測試時,移動晶圓,從而使得下一個被測試芯片移動至測試位置。
7.根據權利要求6所述的金屬電遷移測試方法,其特征在于,所述金屬電遷移測試方法還包括:
溫度設置步驟,用于設置和/或改變升降溫設備的溫度值;以及
第二判斷步驟,用于判斷是否達到了所設置和/或改變后的溫度值。
8.根據權利要求6或7所述的金屬電遷移測試方法,其特征在于,所述金屬電遷移測試方法還包括:
第一阻值測量步驟,用于在晶圓表面達到室溫環境后,控制半導體參數分析儀,通過自動測試,對扎在測試結構的同一壓焊點上的所有直流探針給以測試電流,從而得到室溫下的電阻值。
9.根據權利要求7所述的金屬電遷移測試方法,其特征在于,所述金屬電遷移測試方法還包括:
第二阻值測量步驟,用于在溫度設置步驟所設置和/或改變的多個不同溫度下,控制半導體參數分析儀,通過自動測試,對扎在測試結構的同一壓焊點上的所有直流探針給以測試電流,從而得到所述多個不同溫度下的電阻值。
10.根據權利要求6或7所述的金屬電遷移測試方法,其特征在于,所述金屬電遷移測試方法還包括:
應力電流施加步驟,用于在測試結構上施加應力電流。
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