[發(fā)明專利]一種遲滯電壓比較器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010534265.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN102025352A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐興剛;龍善麗;白濤;武鳳芹;王麗;陳超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國兵器工業(yè)集團(tuán)第二一四研究所蘇州研發(fā)中心
• 主分類號(hào): H03K5/24
• 分類號(hào): H03K5/24;G05F1/56
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi)

1.一種遲滯電壓比較器，其包括開環(huán)比較電路，其特征在于：它還包括與所述的開環(huán)比較電路相反饋連接以產(chǎn)生遲滯的閾值產(chǎn)生電路，所述的閾值產(chǎn)生電路包括增加在開環(huán)比較電路中的MOS開關(guān)管和電流源，通過輸出電平來控制開關(guān)管的開啟和關(guān)斷，從而形成內(nèi)部正反饋通路，進(jìn)而形成具有一定遲滯寬度，且寬度可調(diào)的比較器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種遲滯比較器，其特征在于：所述的開環(huán)比較電路輸出端設(shè)置一組反相器，反相器的輸出信號(hào)控制開關(guān)管的開啟和關(guān)斷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種遲滯比較器，其特征在于：電流源輸出與開環(huán)比較電路的輸入級(jí)相電連接，通過將電流源注入到輸入級(jí)MOS管的漏區(qū)，使得流過輸入級(jí)MOS管的電流增大，導(dǎo)致輸入信號(hào)在達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn)時(shí)不發(fā)生電平翻轉(zhuǎn)，而在高于或低于該轉(zhuǎn)折點(diǎn)時(shí)電平才能翻轉(zhuǎn)，從而產(chǎn)生遲滯。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種遲滯比較器，其特征在于：所述的開環(huán)比較電路包括與電壓正負(fù)輸入端相電連接的第一輸入MOS管和第二輸入MOS管、與第一輸入MOS管相連接用于為第一輸入MOS管提供電流的第一負(fù)載MOS管、與第二輸入MOS管相連接用于為第二輸入MOS管提供電流的第二負(fù)載MOS管、連接在第一負(fù)載MOS管與地之間用于形成通路的第三負(fù)載MOS管以及連接在第二負(fù)載MOS管與地之間用于形成通路的第四負(fù)載MOS管，所述的閾值產(chǎn)生電路包括分別與第一輸入MOS管和第二輸入MOS管相對(duì)稱連接的第一開關(guān)管和第二開關(guān)管、電流大小可調(diào)節(jié)的第一電流源以及與開環(huán)比較電路輸出端依次相連接的第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器的輸出端與第一開關(guān)管相連接以控制第一開關(guān)管的導(dǎo)通與截止；所述的第二反相器的輸出端與第二開關(guān)管相連接以控制第二開關(guān)管的導(dǎo)通與截止，通過控制第一開關(guān)管與第二開關(guān)管的導(dǎo)通與截止使得第一電流源電流注入到第一輸入MOS管或第二輸入MOS管中，以產(chǎn)生遲滯。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的遲滯電壓比較器，其特征在于：所述的第一輸入MOS管、第二輸入MOS管、第三負(fù)載MOS管以及第四負(fù)載MOS管為NMOS管，所述的第一負(fù)載MOS管、第二負(fù)載MOS管、第一開關(guān)管以及第二開關(guān)管為PMOS管，所述第一輸入MOS管柵極與電壓正輸入端相連接，第二輸入MOS管柵極與電壓負(fù)輸入端相連接，第一輸入MOS管漏極與第一開關(guān)管漏極相電連接，第二輸入MOS管漏極與第二開關(guān)管漏極相電連接，第一輸入MOS管源極與第二輸入MOS管源極通過大小可調(diào)節(jié)的第二電流源接地；第一開關(guān)管源極、第二開關(guān)管源極與第一電流源共同連接，且第一反相器的輸出端與第一開關(guān)管柵極相連接，第二反相器的輸出端與第二開關(guān)管柵極相連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的遲滯電壓比較器，其特征在于：所述的第一電流源以及第二電流源由一偏置電流源分流而成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的遲滯電壓比較器，其特征在于：所述的第一電流源由兩鏡像連接的第一分流PMOS管構(gòu)成，所述的第二電流源由兩鏡像連接的第二分流MOS管構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的遲滯電壓比較器，其特征在于：所述的遲滯電壓比較器，其特征在于：所述的第一負(fù)載MOS管和第二負(fù)載MOS管分別為兩相鏡像連接的PMOS管，且對(duì)應(yīng)的兩PMOS管的寬長比相等。