[發(fā)明專利]消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010534186.0
• 申請(qǐng)日: 2010-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN102468431A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任萬(wàn)春;宋志棠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層中形成有下電極，第二絕緣層中形成有完全暴露下電極上表面的開孔；

在所述開孔中形成側(cè)墻并進(jìn)行沉積預(yù)清理工藝；

在上述器件結(jié)構(gòu)表面沉積金屬層；

快速退火后移除所述金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述金屬層的沉積方法為物理氣相沉積法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述金屬層為鈦層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述金屬層厚度為15埃～50埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述快速退火的溫度為270攝氏度～400攝氏度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述快速退火的持續(xù)時(shí)間為30秒～120秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述方法還包括等離子體處理移除所述金屬層后暴露出的器件結(jié)構(gòu)表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述消除相變隨機(jī)存儲(chǔ)器下電極損傷的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述等離子體處理采用的氣體是氮?dú)饣虬睔狻?!-- SIPO -->