[發明專利]相變隨機存儲器的制造方法有效
| 申請號： | 201010534177.1 | 申請日： | 2010-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN102468429A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 任萬春;向陽輝;張彬;宋志棠 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 隨機 存儲器 制造 方法 | ||
1.一種相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有第二絕緣層，所述第二絕緣層內填充有GST相變材料；
在所述第二絕緣層和GST相變材料上沉積低溫氧化層；
圖案化所述低溫氧化層，以形成覆蓋所述GST相變材料的圖案化的低溫氧化層；
在所述第二絕緣層和圖案化的低溫氧化層上依次沉積氮化硅層和第三絕緣層；
依次刻蝕所述第三絕緣層和氮化硅層，以完全暴露出圖案化的低溫氧化層，形成刻蝕孔；
移除所述刻蝕孔內的圖案化的低溫氧化層；
在所述刻蝕孔內形成上電極。
2.根據權利要求1所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底和第二絕緣層之間還設有第一絕緣層，所述第一絕緣層內形成有下電極。
3.根據權利要求2所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述GST相變材料覆蓋于下電極上表面，與下電極對準。
4.根據權利要求1所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述低溫氧化層的沉積厚度為50埃～500埃。
5.根據權利要求1所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述氮化硅層的沉積厚度為50埃～500埃。
6.根據權利要求1所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述第三絕緣層和氮化硅層的刻蝕方法為干法刻蝕。
7.根據權利要求1或6所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述第三絕緣層和氮化硅層的刻蝕為垂直刻蝕。
8.根據權利要求1所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述圖案化的低溫氧化層的移除方法為濕法刻蝕。
9.根據權利要求8所述相變隨機存儲器的制造方法，其特征在于：所述濕法刻蝕采用的刻蝕劑為緩沖氧化硅腐蝕液。
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