[發明專利]三維發光器件及其制作方法

無效

• 申請號: 201010534176.7
• 申請日: 2010-11-01
• 公開（公告）號: CN102347345A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 閆春輝;張劍平;劉穎;趙方海;馬欣榮
• 申請（專利權）人: 亞威朗(美國)
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種發光二極管(LED)芯片，包括：

襯底，其具有一體區、分離區和位于其間的斜坡區；

平臺，形成在所述襯底上，其中，所述平臺的上表面在所述分離區中相對于被所述平臺暴露的所述襯底的上表面垂直錯開，且在所述分離區中被所述平臺暴露的所述襯底的上表面通過所述斜坡區中的斜面與所述一體區中的所述平臺的上表面相連；

第一LED結構，形成在所述分離區中被所述平臺暴露的襯底的上表面上；以及第二LED結構，形成在所述分離區中的所述平臺的上表面上，其中，所述第一LED結構包括第一n型層、第一有源區域和第一p型層，所述第二LED結構包括第二n型層、第二有源區域和第二p型層，所述第一和第二LED結構在所述分離區中彼此分開，而在所述一體區中，所述第一和第二n型層合成一個單一n型層，所述第一和第二有源區域合成一個單一有源區域，所述第一和第二p型層合成一個單一p型層。

2.根據權利1所述的發光二極管(LED)芯片，其中所述平臺和所述襯底為一整體結構。

3.根據權利1所述的發光二極管(LED)芯片，還包括所述襯底和所述平臺之間的樣板層，其中所述平臺形成在所述樣板層上，所述平臺的上表面在所述分離區中相對于被所述平臺暴露的所述樣板層的上表面垂直錯開，且所述分離區中被所述平臺暴露的所述樣板層的上表面通過所述斜坡區里的斜面與所述一體區中的所述平臺的上表面相連，所述第一LED結構形成在所述分離區中被所述平臺暴露的所述樣板層的上表面上。

4.根據權利3所述的發光二極管(LED)芯片，所述平臺和所述樣板層為一整體結構。

5.根據權利1所述的發光二極管(LED)芯片，所述平臺為單一絕緣層。

6.根據權利1所述的發光二極管(LED)芯片，其中所述平臺包括絕緣頂層、中間層和底層；且當所述第一LED結構中的所述第一n型層從所述襯底生長時，所述中間層通過其側壁與所述第一p型層和所述第一有源區域相連，且所述底層通過其側壁與所述第一有源區域和所述第一n型層相連；而當所述第一LED結構中的所述第一p型層從所述襯底生長時，所述中間層通過其側壁與所述第一n型層和所述第一有源區域相連，所述底層通過其側壁與所述第一有源區域和所述第一p型層相連。

7.根據權利6所述的發光二極管(LED)芯片，其中當所述第一LED結構中的所述第一n型層從所述襯底生長時，所述中間層為絕緣層且所述底層為n型層，或者所屬中間層為p型層且所述底層為絕緣層；當所述第一LED結構中的所述第一p型層從所述襯底上生長時，所述中間層為絕緣層且所述底層為p型層，或者所屬中間層為n型層且所述底層為絕緣層。

8.根據權利1所述的發光二極管(LED)芯片，還包括在所述斜坡區中的間隙，以在所述斜坡區中分開所述第一和第二LED結構。

9.一種發光二極管(LED)芯片，包括：

基片，用于LED外延生長，具有一體區、分離區和位于其間的斜坡區，其中在所述分離區中至少包含一組第一表面和一組與之其垂直錯開的第二表面，所述第一表面和所述第二表面通過所述斜坡區中的斜面在所述一體區中合成單一表面；

第一LED結構，形成在所述分離區中的所述第一表面上，以及第二LED結構，形成在所述分離區中的所述第二表面上；其中所述第一LED結構包括第一n型層、第一有源區域和第一p型層，所述第二LED結構包括第二n型層、第二有源區域和第二p型層，所述第一和第二LED結構在所述分離區中彼此分開，而在所述一體區中，通過所述斜坡區里的斜面，所述第一和第二n型層合成單一n型層，所述第一和第二有源區域合成單一有源區域，所述第一和第二p型層合成單一p型層。

10.根據權利9所述的發光二極管(LED)芯片，其中所述第一表面和所述第二表面通過垂直側壁相連。

11.根據權利9所述的發光二極管(LED)芯片，其中所述基片為單一襯底。

12.根據權利9所述的發光二極管(LED)芯片，其中所述基片包括具有垂直錯開表面的襯底和相適應共形形成于其上的樣板層。

13.根據權利9所述的發光二極管(LED)芯片，其中所述基片包括平面襯底和具有垂直錯開的上表面的樣板層。