[發(fā)明專利]場效應晶體管與半導體元件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010534175.2
• 申請日: 2010-11-02
• 公開（公告）號: CN102237408A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設計）人: 李宗霖;張志豪;柯志欣;袁鋒;許俊豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種場效應晶體管，包括：

一基底，包括一上表面；

一柵極堆疊，設置于該基底之上；

一隔絕結構，設置于該基底內(nèi)；以及

一源極/漏極凹陷空穴，設置于該基底的該上表面之下，介于該柵極堆疊與該隔絕結構之間，該凹陷空穴包括：

一較低部分，該較低部分還包括一第一應變層與一第一介電膜，其中該第一應變層設置在該隔絕結構與該第一介電膜之間；以及

一較高部分，包括一第二應變層，設置在該第一應變層與該第一介電膜之上。

2.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中在該基底的該上表面與該源極/漏極凹陷空穴的底部之間的高度范圍介于300nm至2000nm之間。

3.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中該第一介電膜的最大厚度范圍介于至之間，且該第一介電膜的厚度小于該第一應變層的厚度。

4.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中該第一應變層的上表面與該第一介電膜的上表面低于該隔絕結構的上表面。

5.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中該較低部分還包括一第二介電膜，其中該第二介電膜設置在該第一應變層與該隔絕結構之間。

6.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中該第一應變層包括SiGe，且該第二應變層包括Si或SiC的其中至少一種。

7.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中該第一應變層包括SiC，且該第二應變層包括Si或SiGe的其中至少一種。

8.一種半導體元件的制造方法，包括：

提供一基底；

形成一凹陷空穴在該基底內(nèi)，包括一較高部分與一較低部分，其中該凹陷空穴的一個側壁為介電質(zhì)，且該凹陷空穴的其他側壁為該基底；

形成一介電膜在該基底做成的側壁部分上與該凹陷空穴的底部部分上；

移除在該凹陷空穴的該底部部分上的該介電膜；

外延生長一第一應變層在該凹陷空穴的該較低部分內(nèi)，鄰接一部分的該介電膜；

移除不鄰接該第一應變層的一部分該介電膜；以及

外延生長一第二應變層在該凹陷空穴的該較高部分內(nèi)。

9.如權利要求8所述的半導體元件的制造方法，其中形成一介電膜在該基底做成的側壁部分上與該凹陷空穴的底部部分上的該步驟使用熱氧化工藝或化學氣相沉積工藝進行。

10.如權利要求8所述的半導體元件的制造方法，其中移除在該凹陷空穴的該底部部分上的該介電膜的該步驟使用干蝕刻工藝進行，且移除不鄰接該第一應變層的一部分該介電膜的該步驟使用濕蝕刻工藝進行。