[發明專利]圓片清洗方法

有效

• 申請號: 201010533943.2
• 申請日: 2010-11-05
• 公開（公告）號: CN102468126A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 吳貴財;劉金慧;王盼磊;張蔚
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種圓片清洗方法，包括以下步驟：

檢測相鄰兩次蝕刻液換液之間的時間間隔；

在所述時間間隔大于等于預設時間時，采用蝕刻液對圓片進行清洗。

2.根據權利要求1所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述方法還包括步驟：當所述時間間隔小于預設時間時，繼續進行檢測。

3.根據權利1或2所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述蝕刻液為有機胺堿溶劑。

4.根據權利3所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述有機胺堿溶劑為EKC270，所述預設時間為4小時。

5.根據權利要求1所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述圓片包括通孔層、金屬層和焊盤層，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括：

采用蝕刻液清洗所述通孔層。

6.根據權利要求5所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述清洗通孔層的時間為40分鐘。

7.根據權利要求5所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括：

采用蝕刻液清洗所述金屬層。

8.根據權利要求7所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述清洗金屬層的時間為20分鐘。

9.根據權利要求5所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述蝕刻液對圓片進行清洗的具體步驟包括：

采用蝕刻液清洗所述焊盤層。

10.根據權利要求9所述的圓片清洗方法，其特征在于，所述清洗焊盤層的時間為40分鐘。