[發(fā)明專利]射頻噪聲去嵌入方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010533065.4
• 申請(qǐng)日: 2010-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102466773A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃景豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;H01L23/544
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻噪聲去嵌入方法。

背景技術(shù)

對(duì)于RF噪聲測(cè)試，測(cè)試結(jié)構(gòu)中的壓焊塊(Pad)及連線的寄生電阻、電容、電感會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成比較大的影響。為了得到精確的被測(cè)試器件結(jié)構(gòu)(Device?Under?Test，DUT)的噪聲參數(shù)，需要將這些寄生效應(yīng)去除，即需要去嵌入(De-embedding)。現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用最多的是如文獻(xiàn)《C.H.CHEN?and?M.J.DEEN，”High?frequency?Noise?of?Mosfets?I?Modeling“.Solid-state?Electronics?Vol.42，No.11，pp.2069-2081，1998》中所述的開(kāi)路去嵌入(Open?de-embedding)方法；及如文獻(xiàn)《K.Aufinger?andJ.Bock，”A?Straightforward?Noise?De-embedding?Method?and?ItsApplication?to?High-Speed?Silicon?Bipolar?Transistors”，Proceedings?ofESSDERC’96，pp.957-960》中所述的開(kāi)路-短路去嵌入(Open-Shortde-embedding方法。其中所述開(kāi)路去嵌入方法只能去除Pad寄生電容，所述開(kāi)路-短路去嵌入方法相對(duì)于開(kāi)路去嵌入方法有所提高，不但能去除Pad寄生電容，還能去除金屬連線的寄生電阻及電感，但是卻忽略了寄生電容效應(yīng)對(duì)噪聲的影響，隨著器件尺寸的不斷縮小及應(yīng)用頻率的不斷提高，金屬連線的寄生電容的效應(yīng)會(huì)顯得非常重要，為去除這一效應(yīng)，可使用如文獻(xiàn)《C.H.CHEN?and?M.J.DEEN，”A?General?Procedure?for?High-Frequency?NoiseParameter?De-embedding?of?MOSFETs?by?Taking?the?Capacitive?Effects?of?MetalInterconnection?into?Account”，IEEE，Conference?on?Microelectronic?TestStructures，Vol?14，March?2001》所述的開(kāi)路-直通去嵌入(Open-Thrude-embedding)方法。

如圖1所示，為現(xiàn)有開(kāi)路-直通去嵌入方法的去嵌結(jié)構(gòu)示意圖，包括一被測(cè)試器件結(jié)構(gòu)1、一開(kāi)路去嵌測(cè)試結(jié)構(gòu)2、第一直通去嵌測(cè)試結(jié)構(gòu)3A和第二直通去嵌測(cè)試結(jié)構(gòu)3B。所述被測(cè)試器件結(jié)構(gòu)1包括一射頻器件11、一信號(hào)輸入壓焊塊S1、一信號(hào)輸出壓焊塊S2、四個(gè)接地壓焊塊G1、G2、G3、G4。所述信號(hào)輸入壓焊塊S1和所述射頻器件11的輸入端通過(guò)金屬線一12相連，所述信號(hào)輸出壓焊塊S2和所述射頻器件的輸出端通過(guò)金屬線二13相連，四個(gè)所述接地壓焊塊通過(guò)金屬線三14互相連接并和所述射頻器件的接地端連接；所述信號(hào)輸入壓焊塊S1、所述信號(hào)輸出壓焊塊S2排列在直線一上，直線二和直線三對(duì)稱的位于所述直線一的兩側(cè)且都和所述直線一平行，在所述直線二和所述直線三上各排列兩個(gè)所述接地壓焊塊，所述直線二上兩個(gè)所述接地壓焊塊G1、G2分別和所述信號(hào)輸入壓焊塊S1、所述信號(hào)輸出壓焊塊S2在垂直所述直線一的方向上對(duì)齊排列、所述直線三上兩個(gè)所述接地壓焊塊G1、G2分別和所述信號(hào)輸入壓焊塊S1、所述信號(hào)輸出壓焊塊S2在垂直所述直線一的方向上對(duì)齊排列。

所述開(kāi)路去嵌測(cè)試結(jié)構(gòu)2是在所述被測(cè)試器件結(jié)構(gòu)1的基礎(chǔ)上去除了所述射頻器件11、所述金屬線一12以及所述金屬線二13。

所述第一直通去嵌測(cè)試結(jié)構(gòu)3A是在所述被測(cè)試器件結(jié)構(gòu)1的基礎(chǔ)上去除了所述射頻器件11，且所述信號(hào)輸入壓焊塊S1和所述信號(hào)輸出壓焊塊S2之間通過(guò)金屬線12a相連，所述金屬線12a和所述金屬線一12的長(zhǎng)度和寬度都相同。所述接地壓焊塊G1、G2通過(guò)金屬線相連、所述接地壓焊塊G3、G4通過(guò)金屬線相連、所述直線二上的所述接地壓焊塊G1、G2和所述直線三上的所述接地壓焊塊G3、G4不連接。

所述第二直通去嵌測(cè)試結(jié)構(gòu)3B是在所述被測(cè)試器件結(jié)構(gòu)1的基礎(chǔ)上去除了所述射頻器件11，且所述信號(hào)輸入壓焊塊S1和所述信號(hào)輸出壓焊塊S2之間通過(guò)金屬線13a相連，所述金屬線13a和所述金屬線二13的長(zhǎng)度和寬度都相同。所述接地壓焊塊G1、G2通過(guò)金屬線相連、所述接地壓焊塊G3、G4通過(guò)金屬線相連、所述直線二上的所述接地壓焊塊G1、G2和所述直線三上的所述接地壓焊塊G3、G4不連接。