[發明專利]制造單晶錠的裝置無效
| 申請號: | 201010532816.0 | 申請日: | 2010-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN101967675A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發明(設計)人: | 李園 | 申請(專利權)人: | 王楚雯 |
| 主分類號: | C30B11/00 | 分類號: | C30B11/00;C30B29/20 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黃德海 |
| 地址: | 100084 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 單晶錠 裝置 | ||
1.一種制造單晶錠的裝置,其特征在于,包括:
主體;
設置在所述主體內的坩堝;
主加熱器,所述主加熱器設置在所述坩堝的四周,用于熔化容納在坩堝內的給料;
籽晶夾頭,所述籽晶夾頭位于所述坩堝之上,用于夾持籽晶;
熱交換器,所述熱交換器位于所述坩堝的頂部和籽晶夾頭之間,所述籽晶夾頭可升降地穿過所述熱交換器且所述熱交換器中通入冷卻介質以對所述籽晶進行冷卻;和
第一保溫部件,所述第一保溫部件設置在所述熱交換器與所述坩堝之間。
2.根據權利要求1所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,第一保溫部件為熱反射屏和/或保溫層。
3.根據權利要求2所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述第一保溫部件之下設置有輔助加熱器。
4.根據權利要求3所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述輔助加熱器產生的溫度場在晶體生長的初始階段控制成使得朝向坩堝的側壁的單晶生長速度小于沿著縱向向下的單晶生長速度。
5.根據權利要求1所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,進一步包括:
溫控部件,所述溫控部件設置在所述坩堝的底部中央。
6.根據權利要求5所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述溫控部件為溫度可調節的加熱器。
7.根據權利要求5所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,進一步包括:
稱重單元,所述稱重單元連接至所述籽晶夾頭,用于稱取晶體的重量,所述溫控部件和/或所述主加熱器基于稱重單元的檢測結果被控制加熱以防止單晶粘接到坩堝底部和/或側壁、并在發生粘接時熔化粘接至所述坩堝的單晶。
8.根據權利要求1所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,進一步包括:
第二保溫部件,所述第二保溫部件設置在所述主加熱器與所述主體之間;
第三保溫部件,所述第三保溫部件設在所述坩堝底部與所述主體之間。
9.根據權利要求8所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述第二保溫部件為熱反射屏和/或保溫層,以及
所述第三保溫部件為熱反射屏和/或保溫層。
10.根據權利要求2或9所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述熱反射屏由鎢、鉬、鎢鉬合金或石墨形成,所述保溫層由保溫碳氈形成。
11.根據權利要求1所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述冷卻介質為水或者氦氣。
12.根據權利要求1所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述主加熱器由鎢、鎢鉬合金或石墨形成。
13.根據權利要求1所述的制造單晶錠的裝置,其特征在于,所述單晶錠為藍寶石晶錠。
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