[發明專利]一種基于二氧化錫的低殘壓比壓敏陶瓷材料的制備方法無效
| 申請號： | 201010532613.1 | 申請日： | 2010-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN102030523A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 魏喬苑;何金良;胡軍 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | C04B35/457 | 分類號： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 羅文群 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 氧化 低殘壓 陶瓷材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于二氧化錫的低殘壓比壓敏陶瓷材料的制備方法，其特征在于該方法包括以下步驟：
(1)制備壓敏陶瓷材料時原料中各組分的摩爾百分比為：
SnO2????????????99.39％～99.42％
Co2O3???????????0.5％
Cr2O3???????????0.02％～0.04％
Nb2O5???????????0.06％～0.07％
(2)按上述各組分按配方稱重后混合，在混合物中加入適量無水乙醇，球磨8小時；
(3)球磨后的漿料烘干12小時，過80目篩，得到的粉料在160MPa的壓力下壓成直徑11.5mm、厚約1mm的圓片，得到陶瓷坯體；
(4)將上述陶瓷坯體加熱至900℃時，保溫80分鐘，繼續加熱至1300℃，燒結1小時。
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